[发明专利]具有改善了电流的输入耦合性能的表面结构光辐射二极管

权利要求书

1.光辐射二极管(100)包括：

——一个半导体式结构，其构成有，一个衬底(10)，和至少一个位于衬底(10)之上的发光层(20)和一个置于发光层(20)之上的透明的电流耗散层(30)，

——一个位于衬底背面上的第一电接触层，和

——一个安置在电流耗散层(30)上面的第二电接触层(50)，

其特征是，

——电流耗散层(30)的表面具有一种垂直的结构方式(40)，用于改善光的输出耦合，和

——第二电接触层(50)，具有旁侧式结构，利用它可实现电流耗散层(30)中电流基本均匀的输入耦合。

2.根据权利要求1的光辐射二极管(100)，其特征是，

——第二电接触层(50)具有一个中心的主要是圆形或正方形的接触面(51)，以及一个围绕在中心接触面(51)四周的由比较细长的接触电桥(52；53)和/或接触点(54)构成的相对于中心接触面(51)的中心旋转对称的接触结构(52；53；54)。

3.根据权利要求2的光辐射二极管(100)，其特征是，

——旋转对称是整数的(完全的、积分的)，并且尤其要对应于光辐射二极管的旋转对称性。

4.根据上述权利要求中任一项的光辐射二极管(100)，其特征是，

——第二电接触层(50)，其结构自身是相互连通的。

5.根据权利要求1至3中任一项的光辐射二极管(100)，其特征是，

——第二电接触层(50)，其结构自身互不相通，

用一透明的导电的材料层相互连接。

6.根据上述权利要求中任一项的光辐射二极管(100)，其特征是，

——第二电接触层(50)安置在电流耗散层的表面具有结构方式的部分上，和/或表面没有作成结构方式的部分上。

7.根据上述权利要求中任一项的光辐射二极管(100)，其特征是，

——所述垂直结构(40)可具有的形状主要有规律排列的n-面的(n≥3)棱锥、平截头棱锥、锥体或截锥体。

8.用于制造上述权利要求要求中任一项的光辐射二极管(100)的制造方法，其特征是，

——在衬底(10)上面安置一个发光层(20)，接着再安置一个比较厚的透明的电流耗散层(30)，且衬底的背面附有第一电接触层，

——在电流耗散层(30)的表面制作出一种垂直的结构方式(40)以改善光的输出耦合。

——在电流耗散层(30)的已作成的结构形状的表面上，涂上具有所要旁侧的结构样式的第二电接触层(50)。

9.根据权利要求1至8中任一项的光辐射二极管(100)的制造方法，其特征是，

——在衬底(10)的上面安置一个发光层(20)，接着再安置一个比较厚的透明的电流耗散层(30)，且衬底的背面附有第一电接触层，

——在电流耗散层(30)的表面上涂上具有所要旁侧的结构样式的第二电接触层(50)，并且

——在电流耗散层(30)的表面上第二电接触层(50)的范围以外处，制作出一种垂直的结构方式(40)，以改善光的输出耦合。