[发明专利]双晶片的连接过程

权利要求书

1.一种用于连接第一和第二晶片的过程，至少一个晶片具有微型结构，该过程包括：

制作具有低温微型电子线路，具有第一组连接的第一晶片；

在高温下制作具有与第一组连接镜象匹配的第二组连接的第二晶片；

把聚酰亚胺层施加到所述第一晶片的顶侧上；

把聚酰亚胺层施加到所述第二晶片的顶侧上；

略为烘烤所述第一和第二晶片；

使所述第一和第二晶片的顶侧互相面对；

使所述第一和第二晶片互相对齐；

在无氧化性的环境中，在一压力下以一温度将所述第一和第二晶片结合在一起；

蚀刻出通过所述聚酰亚胺层向下达到各组相应连接的各孔；和

溅射导电材料到孔中，以便制成到各组连接的触点。

2.一种用于温度敏感晶片和在高温下处理的晶片的过程，该过程包括：

在第一硅晶片上形成哈司特镍合金层；

在哈司特镍合金层上形成YSZ膜层；

构图和蚀刻YSZ层；

在YSZ层上形成Bi_xTiO_y层；

在Bi_xTiO_y层上形成CMR层；

在CMR层上形成氮化硅层；

将氮化硅、CMR和Bi_xTiO_y层构图和蚀刻成电阻图案；

在氮化硅层和部分哈司特合金层上形成第一聚酰亚胺层；

使第一聚酰亚胺层与氮化硅层齐平；

切割出通过氮化硅层到CMR层的第一通路；

形成充填第一通路的金属层以与CMR层接触；

构图和蚀刻金属层；

在金属层上形成电介质层；

蚀刻出通过电介质和金属层到第一聚酰亚胺层的第二通路；

在电介质层上形成第二聚酰亚胺层；

在第二硅晶片上形成CMOS电子线路；

在CMOS电子线路上形成第三聚酰亚胺层；

构图和蚀刻出通过第三聚酰亚胺层到CMOS电子线路的第三通路；

在第三聚酰亚胺层上，形成充填第三通路的金属层以CMOS电子线路接触；

使金属层与第三聚酰亚胺层齐平；

在部分第三聚酰亚胺层和金属层上形成第四聚酰亚胺层；

对齐第一和第二晶片，使第二和第四聚酰亚胺层互相接近；

使第二和第四聚酰亚胺层互相加压结合；

切割出通过第一硅晶片到哈司特镍合金层的通道孔；

蚀刻掉哈司特镍合金层以释放第一硅层；

研磨第一聚酰亚胺层和YSZ层以使YSZ层变薄；

去除第一聚酰亚胺层；

去除部分第二和第四聚酰亚胺层，以便提供通过第二通路到位于第三通路中的金属层的路径；

在第二通路中形成到位于第三通路中的金属层的接触柱；和

除去第二、第三和第四聚酰亚胺层；

其中接触柱和位于第三通路中的金属层提供在YSZ、Bi_xTiO_y、CMR和氮化硅层与CMOS电子线路和第二硅晶片之间的结构支承和热隔绝。