[发明专利]绝对湿度传感器

权利要求书

1.一种绝对湿度传感器，包括：

一具有腔体的基片；

一形成于该基片上的隔膜；

一形成于该隔膜上的电阻器；

形成于该隔膜上的电极焊点，用于与电阻器电连接；以及

一钝化膜，该钝化膜形成于电阻器的整个表面上，以覆盖该电阻器。

2.根据权利要求1所述的绝对湿度传感器，其中，该隔膜由SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y和SiO₂/Si₃N₄/SiO₂中的任意一种形成。

3.根据权利要求1所述的绝对湿度传感器，其中，电阻器由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO₂中的一种或多种形成。

4.根据权利要求1所述的绝对湿度传感器，其中，钝化膜由SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y、磷硅酸盐玻璃和聚酰亚胺中的任意一种形成。

5.根据权利要求1所述的绝对湿度传感器，还包括一导热膜，该导热膜形成于钝化膜的形成有电阻器的区域上。

6.根据权利要求5所述的绝对湿度传感器，其中，导热膜由Al和Au中的任意一种形成。

7.一种绝对湿度传感器，包括：

一基片，该基片在预定区域内具有第一腔体和第二腔体；

一形成于该基片上的隔膜；

一湿度感测元件，该湿度感测元件形成于隔膜上形成有第一腔体的位置处，用于检测空气中的湿度，该湿度感测元件具有可随所检测的湿度而变化的电阻值；以及

一温度补偿元件，该温度补偿元件形成于隔膜上形成有第二腔体的位置处，用于补偿湿度感测元件的电阻值。

8.根据权利要求7所述的绝对湿度传感器，其中，湿度感测元件和温度补偿元件包括：

一电阻器，该电阻器形成于隔膜上；

电极焊点，该电极焊点形成于隔膜上，用于与电阻器电连接；以及

一钝化膜，该钝化膜形成于电阻器的整个表面上，以覆盖该电阻器。

9.根据权利要求8所述的绝对湿度传感器，其中，隔膜由SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y和SiO₂/Si₃N₄/SiO₂中的任意一种形成。

10.根据权利要求8所述的绝对湿度传感器，其中，电阻器由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO₂中的任意一种或多种形成。

11.根据权利要求8所述的绝对湿度传感器，其中，钝化膜由SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y、磷硅酸盐玻璃和聚酰亚胺中的任意一种形成。

12.根据权利要求7所述的绝对湿度传感器，还包括一导热膜，该导热膜形成于钝化膜的形成有电阻器的区域上。

13.根据权利要求12所述的绝对湿度传感器，其中，导热膜由Al和Au中的任意一种形成。

14.根据权利要求7所述的绝对湿度传感器，还包括一封盖，该封盖形成于湿度感测元件和温度补偿元件上，以覆盖该湿度感测元件和温度补偿元件的整个表面，用于将湿度感测元件和温度补偿元件彼此分离并将它们密封于其中。

15.根据权利要求14所述的绝对湿度传感器，其中，在封盖的中心区域中形成保护膜，以分离和密封该湿度感测元件和温度补偿元件。

16.根据权利要求14所述的绝对湿度传感器，其中，在封盖的形成有湿度感测元件的区域内形成一个孔，以通过外部湿气。

17.根据权利要求14所述的绝对湿度传感器，其中，该封盖由硅制成。