[发明专利]利用热诱导相位转换的磁介质图案化无效
申请号: | 00815591.7 | 申请日: | 2000-11-09 |
公开(公告)号: | CN1390350A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 王理平 | 申请(专利权)人: | 西加特技术有限责任公司 |
主分类号: | G11B5/00 | 分类号: | G11B5/00;G11B5/74;G11B5/82 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 诱导 相位 转换 介质 图案 | ||
1.一种在磁数据/信息存储和恢复介质上形成磁图案的方法,其特征在于,该方法包括步骤:
(a)提供一种磁介质,该磁介质包括有一个表面的磁记录层,所述磁记录层包括一种居里温度(Tc)远高于室温的磁性材料;
(b)将具有第一方向和一定强度的第一均匀磁场施加到所述磁层,所述均匀磁场的强度足够充分均匀化磁层上的磁状态;
(c)将第二个均匀磁场施加于所述磁层,该磁场的第二方向与所述第一磁场的方向相反,其磁场强度小于所述第一磁场的强度,当所述磁层处于等于或高于Tc的第一升高温度时,所述第二磁场的所述强度足够改变所述磁层的磁状态,但当所述磁层处于是低于Tc的第二较低温度时,所述第二磁场的所述强度不足够改变所述磁层的磁状态;
(d)将所述磁层上所选的至少一部分表面区的温度至少升高到Tc达一段所需间隔,同时将所述第二磁场施加到所述磁层时,由此,有选择地改变所述磁层上所选的至少一部分表面的磁化状态;
(e)在完成步骤(d)后,中断施加于所述磁层的所述第二磁场;
(f)将所选的至少一部分磁层冷却到低于Tc的温度。
2.按照权利要求1的方法,其特征在于:
步骤(a)包括提供纵向或垂直的磁介质,其中,所述磁层由一磁合金构成,该磁合金包括从Fe,Co,Ni,Cr和Pt组成的组中选出的金属,并且,磁合金的Tc约为300℃。
3.按照权利要求2和方法,其特征在于:
步骤(a)包括提供圆盘形磁介质,该磁介质包括支撑所述磁层的圆盘形衬底。
4.按照权利要求1的方法,其特征在于:
步骤(b)包括通过预排列磁区,由此充分均匀化所述磁层的磁化状态。
5.按照权利要求4的方法,其特征在于:
步骤(b)包括通过直接沿所述磁层易磁化轴施加作为直流磁场的所述第一均匀磁场执行一次直流擦除:所述第一磁场的磁场强度远大于室温下磁层的直流磁矫顽力,并且将所述第一磁场施加于磁层的整个表面达一段所需的间隔时间。
6.按照权利要求1的方法,其特征在于:
步骤(c)包括施加所述第二均匀磁场,该磁场方向与所述第一磁场相反,其磁场强度低于,但接近于当磁层温度接近于Tc时,使磁层磁化降低的磁场强度。
7.按照权利要求6的方法,其特征在于:
步骤(c)包括对于具有恒定垂直度(S)值的磁材料,以由下列公式确定的强度施加第二均匀磁场:
Hc(dM/dH)Hc-Mr
(dM/dH)Hc-(dM/dH)0
这里,Hc=磁矫顽力(Oe);M=磁化强度(emu/mm3);Mr=剩余磁化强度;而下标0=零施加磁场。
8.按照权利要求1的方法,其特征在于:
步骤(d)包括将所述磁层的所述表面中的多个所选图案化部分的温度至少升高到Tc。
9.按照权利要求8的方法,其特征在于:
步骤(d)包括将所述磁层表面的所述多个图化案部分有选择地曝光于辐射能量。
10.按照权利要求9的方法,其特征在于:
步骤(d)包括为有选择地曝光所述多个图案部分产生一辐射能量图案,该辐射能量图案通过如下产生:用光刻技术将聚焦图像投影在所述磁层的所述表面的所述选择部分;经过图案化孔眼掩膜的接触/非接触(接近)成像,或近场成像。
11.按照权利要求10的方法,其特征在于:
步骤(d)包括利用一种从光、电子束和离子束源中选出的辐射能量源。
12.按照权利要求11的方法,其特征在于:
步骤(d)包括利用一种从连续或脉冲激光器中选出的光辐射能量源。
13.按照权利要求10的方法,其特征在于:
步骤(d)包括实现所述磁层表面的光栅扫描或区域成像。
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