[发明专利]制造光盘基片的方法,制造光盘和光盘基片的设备无效
申请号: | 01101263.3 | 申请日: | 2001-01-12 |
公开(公告)号: | CN1313591A | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
发明(设计)人: | 安斋由美子;寺尾元康;西田哲也;宫本真 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 光盘 方法 设备 | ||
1.一种制造光盘基片的方法,包括工序:通过将含氧气体吹流到由在其主有机原子链包含氧原子的塑料材料构成的并且在其表面上具有不规则性的光盘基片上和通过将紫外光辐射到该光盘基片上使得在光盘基片上产生的臭氧变成不超过0.1ppm来改善聚碳酸酯的表面。
2.根据权利要求1的制造光盘基片的方法,其中紫外光具有254nm波长。
3.根据权利要求1的制造光盘基片的方法,其中塑料材料是聚碳酸酯。
4.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)紫外光源,用于当吹流含氧气体时在制造设备中产生其浓度不超过0.1ppm的臭氧;和
(b)用于相对改变光盘基片和紫外光源之间距离的装置。
5.权利要求4的制造光盘基片的设备,其中紫外光具有254nm波长。
6.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)紫外光源,用于当吹流含氧气体时在制造设备中产生其浓度不超过0.1ppm的臭氧;和
(b)用于使光盘基片和紫外光源相互进行相对运动的装置。
7.权利要求6的制造光盘基片的设备,其中紫外光具有254nm波长。
8.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)紫外光源,用于当吹流含氧气体时在制造设备中产生其浓度不超过0.1ppm的臭氧;和
(b)用于控制来自紫外光源的在光盘基片上的紫外光辐射的时间。
9.权利要求8的制造光盘基片的设备,其中紫外光具有254nm波长。
10.一种光盘基片,该基片是由塑料材料制成,在从300到375nm的波长区域内在一个波长上具有不超过50%的透过率。
11.权利要求10的光盘基片,其中光盘基片表面不规则性的平均表面粗糙度(Ra)不超过0.8nm。
12.权利要求10的光盘基片,其中从其表面到0.5μm深度之厚度范围内的光盘基片硬度要比除了从其表面到100μm深度的表面部分外之基片硬度大50-85%。
13.权利要求12的光盘基片,其中从其表面到0.5μm深度之厚度范围内的基片硬度不小于140N/mm2。
14.一种由塑料材料制成的光盘基片,其中从其表面到20μm深度之厚度范围内光盘基片的聚苯乙烯平均当量分子量要比除了从其表面到100μm深度的表面部分外之基片平均当量分子量小4-22%。
15.一种制造光盘基片的方法,包括工序:通过将含氧气体吹流到由在其主有机原子链包含氧原子的塑料材料构成的并且在其表面上具有不规则性的光盘基片上和通过将大约254nm波长之紫外光辐射到该光盘基片上,同时,屏蔽大约185nm波长的紫外光来改善聚碳酸酯的表面。
16.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)紫外光源,用于辐射大约254nm波长的光,同时屏蔽大约185nm波长的光;和
(b)用于相对改变光盘基片和紫外光源之间距离的装置。
17.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)紫外光源,用于辐射大约254nm波长的光,同时屏蔽大约185nm波长的光;和
(b)用于使光盘基片和紫外光源相互进行相对运动的装置。
18.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)紫外光源,用于辐射大约254nm波长的光,同时屏蔽大约185nm波长的光;和
(b)用于控制来自紫外光源的紫外光辐射在光盘基片上的时间的装置。
19.一种制造光盘基片并进行光盘基片表面处理的设备,包括:
(a)多个紫外光源,用于辐射大约254nm波长的光,同时屏蔽大约185nm波长的光;和
(b)用于独立控制每个紫外光源之发射能量的装置。
20.权利要求17的制造光盘基片的设备,包括由氟塑料制成的用于支持光盘基片的基片支持器。
21.权利要求20的制造光盘基片的设备,其中氟塑料是聚四氟乙烯。
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