[发明专利]铁电半导体存储器的制法

权利要求书

1．半导体部件的制法，其中，

a)．在半导体衬底1上形成开关晶体管(2)，

b)．在开关晶体管(2)上沉积绝缘层(4)，其中插入尤其是防止氢扩散的第一壁垒层(5)，

c)．与开关晶体管(2)耦合的存储电容器沉积到绝缘层(4)上，该电容器包含下电极(7)、上电极(9)，其间淀积含氧化物金属的层(8)，

d)．在垂直腐蚀步骤中，在存储电容器外直到一定深度为止去除绝缘层(4)，其中，第一壁垒层向外露出，

e)．尤其是防止氢渗透的第二壁垒层(10)沉积到存储电容器和绝缘层(4)以及第一壁垒层(5)上。

2．根据权利要求1所述的方法，其特征为：

-通过以下方式开关晶体管(2)与存储电容器连接，即：在绝缘层(4)沉积后在其内腐蚀一接触孔(3)，直到开关晶体管(2)的源区或漏区并充填导电材料，以及

-下电极(7)在接触孔(3)上方沉积。

3．根据权利要求2所述的方法，其特征为：

-在填充接触孔(3)之前，在其内壁上用尤其是防止氢渗透的第三壁垒层(5A)加衬。

4．根据权利要求1所述的方法，其特征为：

-在工艺步骤d)，去除绝缘层(4)直到第1壁垒层(5)的深度，其中在必要时第一壁垒层(5)用作腐蚀阻挡层。

5．根据权利要求1所述的方法，其特征为：

-在工艺步骤d)，去除绝缘层(4)直到在第一壁垒层(5)以下的深度。

6．根据上述权利要求之一的方法，其特征为：

-第一壁垒层(5)由Si₃N₄构成，它在必要时通过低压化学气相淀积法(LPCVD)淀积。

7．根据权利要求1到5之一所述的方法，其特征为：

-第一壁垒层(5)由ZrO₂或按此顺序淀积的层材料SiO₂-ZrO₂或由材料Al₂O₃,TiO₂,Ta₂O₅之一构成。

8．根据上述权利要求之一所述的方法，其特征为：

-第二壁垒层(10)通过按此顺序淀积的层材料SiO_x-SiON-Si₃N₄的分层组合形成。

9．根据权利要求1到7之一所述的方法，其特征为：

-第二壁垒层(10)通过按此顺序淀积的层材料SiO_x-Si₃N₄的分层组合形成。

10．根据权利要求8所述的方法，其特征为：

-在淀积Si₃N₄层之前，淀积由一种氧化物或一种氮化物，尤其由材料Ta₂O₅,Bi₂O₃,TiO₂,Al₂O₃,Nb₂O₅,MgO,V₂O₅,CeO₂,Y₂O₃,ZrO₂,BN,AlN之一以及一种稀土氧化物构成的附加的壁垒层。

11．根据权利要求8或10所述的方法，其特征为：

-SiO_x层和/或SiON层通过CVD法形成。

12．根据权利要求8到11之一所述的方法，其特征为：

-Si₃N₄层通过LPCVD法形成。

13．根据权利要求3所述的方法，其特征为：

-第三壁垒层(5A)由Si₃N₄层组成，它尤其通过LPCVD法淀积。

14．根据上述权利要求之一所述的方法，其特征为：

-在工艺步骤c)，上和/或下电极由铂或另一铂类金属或其氧化物制成。