[发明专利]手性纳米孔材料修饰电极

权利要求书

1.一种手性纳米孔材料修饰电极的制备方法，其特征在于使用手性纳米孔材料在15-35℃下，在膜天平上铺展单层膜，表面压力为π＝2-25mN/m时转移到电极表面，垂直铺膜速率为3-25mm/min时，可以转移一层，重复铺膜过程得到两层以至多层。从而得到手性纳米孔材料修饰电极。

2.如权利要求1所述的手性纳米孔材料修饰电极的制备方法，其特征在于手性纳米孔材料选用手性环状聚醚酮、手性环状聚醚砜、手性环状聚苯硫醚、手性环状聚醚酯。

3.如权利要求1所述的手性纳米孔材料修饰电极的制备方法，其特征在于表面压力为π＝4-6mN/m。

4.如权利要求1所述的手性纳米孔材料修饰电极的制备方法，其特征在于垂直铺膜速率为5-15mm/min。