[发明专利]凸块制作方法无效
申请号: | 01101618.3 | 申请日: | 2001-01-12 |
公开(公告)号: | CN1365141A | 公开(公告)日: | 2002-08-21 |
发明(设计)人: | 易牧民 | 申请(专利权)人: | 华治科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作方法 | ||
1.一种凸块制作方法,适于一晶片上的凸块制作,其中该晶片上具有多个焊垫及一保护层,该凸块制作方法至少包括:
在该各焊垫及该保护层上形成一隔离金属层;
在该隔离金属层上形成一球底金属层;
限定一凸块形成位置,并将该凸块形成位置以外的球底金属层移除,以暴露出该隔离金属层;
形成一光致抗蚀剂,该光致抗蚀剂具有多个开口,其中每一该各开口对应于该凸块形成位置;
以印刷方式将一金属膏填入该各开口中;
进行一回焊步骤;
剥除该光致抗蚀剂;以及
移除暴露出的隔离金属层。
2.如权利要求1所述的凸块制作方法,其中该隔离金属层具有隔离该光致抗蚀剂与该保护层的功能。
3.如权利要求1所述的凸块制作方法,其中该金属膏的材质包括锡铅膏(Sn63Pb37)或其他材质可形成凸块的金属膏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造