[发明专利]半导体器件制作工艺及传导结构有效
| 申请号： | 01101649.3 | 申请日： | 2001-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1306301A | 公开（公告）日： | 2001-08-01 |
| 发明（设计）人： | 菲利浦·J·特宾;欧鲁布米·阿德图土;比卡斯·迈逖 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作 工艺 传导 结构 | ||
1．一种形成半导体器件的工艺，其特征在于：
在半导体基底(10)上形成绝缘层(14)；
在绝缘层(14)上形成非晶质含金属层(22)；以及
在非晶质含金属层(22)上形成晶质含金属层(42)。
2．权利要求1的工艺，其中：
绝缘层(14)进一步的特征是作为栅电介质层；以及
非晶质含金属层(22)和晶质含金属层(42)的组合形成栅电极层的一部分。
3．权利要求2的工艺，其中非晶质含金属层(22)是用六氟化钨前体气体和硅烷前体气体形成的；
硅烷与六氟化钨气体流量比小于约3∶1。
4．权利要求2的工艺，其中晶质含金属层(42)包含钨。
5．权利要求2的工艺，进一步的特征在于，在形成绝缘层(14)之后和在形成非晶质含金属层(22)之前从难熔金属氮化物层和硅层组成的组中选择形成中间层。
6．一种形成传导结构的工艺，其特征在于：
流过含金属前体气体；以及
流过清扫气体，
其中：
至少在一个时间点上同时流过含金属前体气体和清扫气体；
形成非晶质含金属层(22)且包含小于约百分之十的清扫气体中的任何元素。
7．权利要求6的工艺，其中含金属前体气体包含难熔金属元素且清扫气体至少包含半导电元素、氮或氧之一。
8．权利要求6的工艺，其中含金属前体气体包含卤素原子且清扫气体包含半导电元素。
9．权利要求6的工艺，其中含金属前体气体包含碳原子且清扫气体包含氧原子。
10．权利要求6的工艺，其中传导结构包含栅电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
