[发明专利]磁性记录介质有效
申请号: | 01101686.8 | 申请日: | 2001-01-18 |
公开(公告)号: | CN1308318A | 公开(公告)日: | 2001-08-15 |
发明(设计)人: | 末冈雅则;佃明光;伊藤伸明 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | G11B5/62 | 分类号: | G11B5/62;G11B5/73;C08J5/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 魏金玺,杨丽琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 记录 介质 | ||
1.一种磁性记录介质,该磁性记录介质是在以芳香族聚酰胺作为主成分的基膜的至少一个面上直接设置磁性层的磁性记录介质,其特征在于,磁性层表面上的高度10nm以上的突起个数Na(10)(个/mm2)、高度50nm以上的突起个数Na(50)(个/mm2)及基膜的磁性层设置侧的同一表面上的高度10nm以上的突起个数Na(10)’(个/mm2)同时满足下式,
2×104≤Na(10)≤2×107
0≤Na(50)≤5×104
-0.9≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0。
2.权利要求1所述的磁性记录介质,其特征是上述Na(10)满足下式,
2×104≤Na(10)≤5×106。
3.权利要求1或2所述的磁性记录介质,其特征是上述的Na(10)及Na(10)’同时满足下式,
106≤Na(10)≤5×106
-0.7≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0
4.权利要求1~3中任何一项所述的磁性记录介质,其特征是在与上述基膜的磁性层设置面相反侧的表面上,设置背涂层,背涂层表面上的高度50nm以上的突起个数Nb(50)(个/mm2)及高度100nm以上的突起个数Nb(100)(个/mm2)同时满足下式,
2×104≤Nb(50)≤5×106
0≤Nb(100)≤5×104。
5.权利要求1~4中任何一项所述的磁性记录介质,其中基膜的至少一个方向的杨氏模量是9.8GPa以上。
6.权利要求1~5中任何一项所述的磁性记录介质,其特征是上述基膜的厚度是1~5μm。
7.权利要求1~6中任何一项所述的磁性记录介质,其特征是上述磁性层的厚度是0.02~0.5μm。
8.权利要求1~7中任何一项所述的磁性记录介质,其特征是上述磁性层是用蒸镀法形成的层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社,未经东丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01101686.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。