[发明专利]热化学汽相沉积设备和使用该设备合成碳纳米管的方法无效
申请号: | 01102312.0 | 申请日: | 2001-01-31 |
公开(公告)号: | CN1315588A | 公开(公告)日: | 2001-10-03 |
发明(设计)人: | 李铁真;柳在银 | 申请(专利权)人: | 李铁真;株式会社日进纳米技术 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/26;C01B31/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘兴鹏 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热化学 沉积 设备 使用 合成 纳米 方法 | ||
1.一种热化学汽相沉积设备,包括:
顺序接收和传送多个基片的传送带;
用于驱动传送带的旋转装置;
用于顺序将基片装载到上述传送带上的装载装置;
用于将传送带传送的基片卸载的卸载装置,该卸载装置与上述装载装置相对;
用于供应反应气体的反应气体供应装置,该反应气体用于在被传送带传送的基片上合成碳纳米管;
用于加热装载在传送带上的基片加热装置,用于反应气体的热分解;以及
用于排出反应产物气体的排气装置。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述反应气体供应装置包括:
第一反应气体供应装置,用于将第一反应气体供应到装载在传送带上的基片上;以及
安装在第一反应气体供应装置后面的第二反应气体供应装置,用于在第一反应气体反应之后,将第二反应气体供应到被传送带传送的基片上。
3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于:所述基片加热装置将面对第一反应气体供应装置的传送带区域加热到一个在700℃和1100℃之间的温度,以及
所述基片加热装置将面对第二反应气体供应装置的传送带区域加热到一个在500℃和1100℃之间的温度。
4.根据权利要求2所述的设备,其特征在于:所述基片在基片表面上包括一个被用作催化剂的过渡金属层,
所述第一反应气体为氨气,用于将所述过渡金属层侵蚀为细粒,以及
所述第二反应气体为碳化气体,可以是乙炔气体、甲烷气体、丙烷气体或乙烯气体、或氨气或氢气与一种碳化气体混合的气体。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述装载装置和卸载装置包括用于拾取基片的机器人臂。
6.一种热化学汽相沉积设备,包括:
顺序接收和传送多个基片的传送带;
用于驱动传送带的旋转装置;
用于顺序将基片装载到上述传送带上的装载装置;
用于将传送带传送的基片卸载的卸载装置,该卸载装置与上述装载装置相对;
用于供应反应气体的反应气体供应装置,该反应气体用于在被传送带传送的基片上合成碳纳米管;
围绕上述反应气体供应装置安装的反应气体加热装置,用于加热流过反应气体供应装置的反应气体;
用于加热装载在传送带上的基片加热装置;以及
用于排出反应产物气体的排气装置。
7.根据权利要求6所述的设备,其特征在于:所述反应气体供应装置包括:
第一反应气体供应装置,用于将第一反应气体供应到装载在传送带上的基片上;以及
安装在第一反应气体供应装置后面的第二反应气体供应装置,用于在第一反应气体反应之后,将第二反应气体供应到被传送带传送的基片上。
8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:所述反应气体加热装置包括:
围绕第一反应气体供应装置安装的第一反应气体加热装置;以及
围绕第二反应气体供应装置安装的第二反应气体加热装置。
9.根据权利要求8所述的设备,其特征在于:第一反应气体加热装置将流过第一反应气体供应装置的反应气体加热到一个在700℃和1100℃之间的温度,以及
第二反应气体加热装置将流过第二反应气体供应装置的反应气体加热到一个在500℃和1100℃之间的温度,以及
所述基片加热装置将装载在传送带上的基片加热到一个在400℃和600℃之间的温度。
10.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:所述基片在基片表面上包括一个被用作催化剂的过渡金属层,
所述第一反应气体为氨气,用于将所述过渡金属层侵蚀为细粒,以及
所述第二反应气体为碳化气体,可以是乙炔气体、甲烷气体、丙烷气体或乙烯气体、或氨气或氢气与一种碳化气体混合的气体。
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