[发明专利]磁传感器和使用它的磁存储器

权利要求书

1．一种磁传感器，其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件，至少一部分第一磁性层由Ni-Fe材料构成，以wt％计算的Ni含量X_Ni和以纳米表示的其厚度t满足下式表示的关系： X Ni ≥ - B 1 Surf + B 1 · Bulk · t B 2 Surf + B 2 Bulk · t ]]>

其中，

B^Bulk₁=-53.78J/cm³

B^aulk₂=-0.6638J/cm³

B^Surf₁=1.7548×10^-6J/cm²

B^Surf₂=-2.432×10^-8J/cm²

2．根据权利要求1的磁传感器，其中第一磁性层由Ni-Fe材料构成。

3．根据权利要求1的磁传感器，其中第一磁性层包括Ni-Fe材料的子层和至少一个除Ni-Fe材料之外的磁性材料的子层。

4．根据权利要求1的磁传感器，其中第一磁性层厚度小于10纳米。

5．根据权利要求1的磁传感器，其中非磁性层由铜构成。

6．根据权利要求1的磁传感器，其中第二磁性层由从钴或Co-Fe合金构成的组中选择出的材料形成。

7．根据权利要求1的磁传感器，其中反铁磁层由从Pt-Mn、Ni-Mn、和Fe-Mn合金、NiO、和Fe₂O₃构成的组中选择出的材料形成。

8．根据权利要求1的磁传感器，其中层状结构位于基片上。

9．根据权利要求8的磁传感器，其中把一个底层插入在层状结构与基片之间。

10．根据权利要求9的磁传感器，其中底层由钽形成并且厚度为1到10纳米。

11．根据权利要求8的磁传感器，其中该组第一和第二磁性层位于反铁磁层与基片之间。

12．根据权利要求8的磁传感器，其中反铁磁层位于该组第一和第二磁性层与基片之间。

13．根据权利要求8的磁传感器，其中保护层提供在层状结构上。