[发明专利]有机电致发光显示板及其封装方法有效
申请号: | 01103998.1 | 申请日: | 2001-02-16 |
公开(公告)号: | CN1309429A | 公开(公告)日: | 2001-08-22 |
发明(设计)人: | 金昌男;尹钟根 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L27/15;G09F9/30;H05B33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 顾红霞,朱登河 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 及其 封装 方法 | ||
1.一种有机电致发光显示板,它具有多层结构,其中在一透明板上形成第一电极和第二电极,并且在它们之间至少形成一层有机电致发光层,其特征在于,该显示板包括:
形成在透明板上的缓冲层;和
位于缓冲层上的屏蔽盖。
2.如权利要求1所述的有机电致发光显示板,其特征在于,缓冲层形成在除了第一、第二电极的接头接合区和像素区外的板的整个表面上。
3.如权利要求1所述的有机电致发光显示板,其特征在于,缓冲层仅形成在板上屏蔽盖所处的区域。
4.如权利要求1所述的有机电致发光显示板,其特征在于,在板上的屏蔽盖所处的区域和电极上的屏蔽盖所处的区域都形成缓冲层。
5.如权利要求1所述的有机电致发光显示板,其特征在于,屏蔽盖所处区域的缓冲层具有不规则形状或点状。
6.如权利要求5所述的有机电致发光显示板,其特征在于,点状缓冲层可以是圆形、三角形、四边形、多边形中任一种形状。
7.如权利要求1所述的有机电致发光显示板,其特征在于,屏蔽盖所处区域的缓冲层以及屏蔽盖所处区域之外的缓冲层是同一种材料或者是不同的材料。
8.如权利要求7所述的有机电致发光显示板,其特征在于,屏蔽盖所处区域的缓冲层的材料是氧化硅或氮化硅,而屏蔽盖所处区域之外的缓冲层的材料是氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺和聚丙烯中的任一种。
9.如权利要求1所述的有机电致发光显示板,其特征在于,缓冲层的厚度约为0.1~5μm。
10.一种封装有机电致发光显示板的方法,该显示板具有多层结构,其中在一透明板上形成第一电极和第二电极,并且在它们之间至少形成一层有机电致发光层,该方法包括以下步骤:
在透明板上形成一缓冲层;以及
将一屏蔽盖装在缓冲层上。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,缓冲层形成在除了第一、第二电极的接头接合区和像素区外的板的整个表面上。
12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,缓冲层仅形成在板上屏蔽盖所处的区域。
13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,在板上的屏蔽盖所处的区域和电极上的屏蔽盖所处的区域都形成缓冲层。
14.如权利要求10所述的方法,其特征在于,屏蔽盖所处区域的缓冲层具有不规则形状或点状。
15.如权利要求10所述的方法,其特征在于,点状缓冲层可以是圆形、三角形、四边形、多边形中任一种形状。
16.如权利要求10所述的方法,其特征在于,屏蔽盖所处区域的缓冲层以及屏蔽盖所处区域之外的缓冲层是同一种材料或者是不同的材料。
17.如权利要求10所述的方法,其特征在于,屏蔽盖所处区域的缓冲层的材料是氧化硅或氮化硅,而屏蔽盖所处区域之外的缓冲层的材料是氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺和聚丙烯中的任一种。
18.如权利要求10所述的方法,其特征在于,缓冲层的厚度约为0.1~5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01103998.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于制作阴模的阳模生产方法
- 下一篇:扩频通信同步建立设备及使用其的接收机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的