[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 01104073.4 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1310477A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | 长野能久;那须彻;森慎一郎;藤井英治 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
1．一种半导体存储器件，具有存储数据用的存储电容器，该存储电容器由与连接柱相连接的第1电极、第2电极和介于第1电极与第2电极之间的电容绝缘膜构成，其特征在于：
所述第1电极包含有与所述连接柱相接触的第1阻挡膜和设置在所述第1阻挡膜上具有防止氧扩散功能的第2阻挡膜，所述第2阻挡膜是覆盖在所述第1阻挡膜的上面和侧面。
2．根据权利要求项1所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第1阻挡膜含有防止构成所述连接柱的元素向所述电容绝缘膜扩散的扩散防止膜。
3．根据权利要求项2所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第1阻挡膜所包含的膜是从TiN膜，TiAlN膜，TiSiN膜，TaN膜，TaSiN膜及TaAlN膜中选择出的膜。
4．根据权利要求项3所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第1阻挡膜是由上层膜和下层膜构成；所述下层膜是Ti膜或者Ta膜。
5．根据权利要求项2所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第2阻挡膜包含Ir膜或者IrO2膜。
6．一种半导体存储器件，具有存储数据用的存储电容器，该存储电容器由与连接柱相连接的第1电极、第2电极和介于第1电极与第2电极之间的电容绝缘膜构成，其特征在于：
所述第1电极包含有与所述连接柱相接触的第1阻挡膜和覆盖在所述第1阻挡膜上面的第2阻挡膜和覆盖在所述第1阻挡膜侧面的第3阻挡膜；
所述第2阻挡膜和第3阻挡膜具有防止氧扩散功能。
7．根据权利要求项6所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第1阻挡膜含有防止构成所述连接柱的元素向所述电容绝缘膜扩散的扩散防止膜。
8．根据权利要求项7所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第1阻挡膜所包含的膜是从TiN膜，TiAlN膜，TiSiN膜，TaN膜，TaSiN膜及TaAlN膜中选择出的膜。
9．根据权利要求项8所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第1阻挡膜是由上层膜和下层膜构成，所述下层膜是Ti膜或者Ta膜。
10．根据权利要求项7所述的半导体存储器件，其特征在于：所述第2阻挡膜和所述第3阻挡膜分别包含Ir膜或者IrO2膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
