[发明专利]用于粘合晶片的压敏粘合剂片

说明书

本发明涉及用于粘合晶片的压敏粘合剂片。更具体而言，本发明涉及在按各线路切割晶片时用于固定其上印刷有线路的晶片的压敏粘合剂片。

制造大直径的半导体晶片如硅晶片或砷化镓晶片，切割并分离为各单元晶片，然后进行随后的安装步骤。这种制造方法中，粘在压敏粘合剂片上的半导体晶片(切割片)需进行切割、清洗、干燥、扩张、收集和安装步骤。

从切割到收集半导体晶片的步骤中，一般使用包括一基片和在基片上的压敏粘合剂的压敏粘合剂片。这种压敏粘合剂片中，考虑到可扩张性，使用包括相对较软树脂的基片，考虑到粘性，使用弹性模量相对较小的压敏粘合剂。

例如，已知包含增塑剂的聚氯乙烯可作为软基片。含增塑剂的聚氯乙烯基片为软的，具有高的硬挺性，其加工性能优良，能以低成本购得。因此，含增塑剂的聚氯乙烯基片可在各种领域使用。然而，包括这种类型基片的的压敏粘合剂片中，增塑剂会迁移到压敏粘合剂层，使压敏粘合剂的性能随时间劣化。结果，压敏粘合剂被软化，不再可剥离，引起污染被粘物的危险。因此，在半导体加工过程中，要求特别严格的工艺控制，避免使用含增塑剂的聚氯乙烯基片，例如可用聚烯烃薄膜代替之。然而，用于粘合晶片的压敏粘合剂片包括含增塑剂的聚氯乙烯基片，由于其优良的可加工性，可在宽的不同条件下应用，尽管这种变化很小，从这点考虑，这种压敏粘合剂片具有很大的吸引力。

另一方面，包括低弹性模量的压敏粘合剂的压敏粘合剂片，尽管具有优良的粘性，不能抑制切割晶片时晶片小的振动。因此，在晶片的切割面会出现碎裂。这种碎裂如果扩大，会导致损坏线路本身。即使很小，这种碎裂也会随时间的推移引起使最后组件破裂的危险。

从现有技术状况考虑，完成了本发明。因此，本发明的目的是提供一种用于粘合晶片的压敏粘合剂片，这种压敏粘合剂能抑制切割晶片时晶片的振动，使晶片的碎裂最少。

本发明用于粘合晶片的压敏粘合剂片包括一个含增塑剂的聚氯乙烯基片和在该基片上的可能量辐射固化的压敏粘合剂层。

可能量辐射固化的压敏粘合剂层在辐照能量辐射(或能束、或能量射线)之前，其50℃的弹性模量为4.0×10⁴-5.0×10⁶Pa。

本发明中，较好的可能量辐射固化的压敏粘合剂层包括玻璃化温度为0-40℃的乙烯酯共聚物和/或丙烯酸共聚物。

本发明用于粘合晶片的压敏粘合剂片与镜面抛光的不锈钢片的粘合强度，在辐照能量辐射之前至少为1000mN/25mm，辐照能量辐射后为50-1000mN/25mm。

下面详细描述本发明。

本发明用于粘合晶片的压敏粘合剂片包括一个含增塑剂的聚氯乙烯基片和该基片上的可能量辐射固化的压敏粘合剂层。

所述基片主要包括广义的聚氯乙烯树脂，如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯或氯乙烯共聚物。所述基片较好的主要包括聚氯乙烯。

聚氯乙烯中含有一种增塑剂。对每100重量份聚氯乙烯树脂，按DOP计，增塑剂含量宜为25-50重量份，30-45重量份更好。本文中“按DOP计的量”指相应于达到要求性能所需加入的普通增塑剂邻苯二甲酸二辛酯(DOP)的量。对增塑剂没有具体限制，可以是例如任何一种邻苯二甲酸酯增塑剂如邻苯二甲酸二辛酯、磷酸酯增塑剂和聚酯增塑剂。

包括含上述增塑剂的聚氯乙烯树脂的基片具有优良的强度(硬挺性)、可加工性、伸长率、断裂强度和可扩张性。

基片的厚度尽管没有具体限制，但较好的在约50-200微米范围，约70-150微米更好。根据需要，该基片可混入添加剂如填料、稳定剂、抗静电剂和着色剂。

本发明用于粘合晶片的压敏粘合剂片的基片一面，在完成切割后辐照能量辐射。使用紫外光作为能量辐射时，基片必须是透明的。

在所述基片上的可能量辐射固化的压敏粘合剂层包括聚合物组分和可能量辐射固化组分作为其主要组分。

可能量辐射固化的压敏粘合剂层，在辐照能量辐射之前，其50℃的弹性模量在4.0×10⁴-5.0×10⁶Pa范围，较好的为5.0×10⁴-5.0×10⁶Pa。

一般在切割晶片时，会产生摩擦热，使压敏粘合剂层的温度上升到约50℃。当50℃的弹性模量在上述范围时，切割时产生的从压敏粘合剂层传递到晶片的振动受到抑制，从而可稳定固定晶片，因此能减少碎裂的发生。即使压敏粘合剂层在低于50℃时具有高的弹性模量，在50℃弹性模量小于上述范围时，预计不会有减少发生碎裂的作用。