[发明专利]制备用于电连接的导电座的方法及形成的导电座

权利要求书

1．一种制备用于电连接的铜座表面的方法，包括步骤：

提供铜座表面；

在铜座表面上选择地沉积一个含磷或含硼合金的保护层；与

在所述保护层上面选择地沉积一个稀有金属的附着层。

2．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括在沉积保护层之前在铜座表面上选择性沉积一个稀有金属的形核层的步骤。

3．一种制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括步骤：

在一种酸溶液中清洁铜座表面；与

在铜座表面上选择性沉积一个稀有金属的形核层。

4．根据权利要求2的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述形核层由钯沉积。

5．根据权利要求3的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括在沉积所述形核层之后用水清洗铜座表面的步骤。

6．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座层的方法，还包括通过无电镀技术沉积所述保护层的步骤。

7．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述沉积一个保护层的步骤还包括步骤：

将所述铜座表面与一个无电镀槽内的加热缓冲溶液接触，该无电镀槽含有钴离子、硼酸、柠檬酸盐离子、醋酸铅与次磷酸盐；与

将所述铜座表面与加热无电镀溶液接触，该溶液含有镍离子、柠檬酸盐离子、硼酸、次磷酸钠或二甲氨基硼化氢。

8．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述附着层由从包括Au、Pt、Pd与Ag的组中选择的一种金属形成。

9．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述附着层通过把晶片浸入Au浸没溶液形成。

10．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述附着层由一种稀有金属形成至厚度在约500与约4000之间。

11．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述含磷或含硼的合金从包括Ni-P、Co-P、Co-W-P、Co-Sn-P、Ni-W-P、Co-B、Ni-B、Co-Sn-B、Co-W-B与Ni-W-B的组中选择。

12．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层由一种含磷或含硼的合金形成至厚度在约1000与约10000之间。

13．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括通过无电镀技术在所述附着层的上面沉积稀有金属层使稀有金属层的总厚度在约2000与约12000之间的步骤。

14．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层包括每个为含磷或含硼合金的2个独立层。

15．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层为Co-W-P与Ni-P的复合层，所述附着层为Au。

16．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层为Ni-P或Co-W-P，并且所述附着层为Au。

17．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层为Ni-P，并且所述附着层为浸没Au与无电镀Pd。

18．根据权利要求2的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括沉积许多Pd毫微粒子用作所述形核层的步骤。

19．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述铜座表面在从包括硅晶片、硅-锗晶片与绝缘硅片的组中选择的衬底上提供。

20．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法还包括步骤：

将铜座表面所坐落的晶片切割成各个IC芯片；与

在铜座表面上形成引线键合。

21．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法还包括步骤：

将铜座表面所坐落的晶片切割成许多IC芯片；与

在所述铜座表面上形成用于进行电连接的钎焊凸块。