[发明专利]生产半导体器件的工艺

权利要求书

1.一种生产半导体器件的工艺，包括下列步骤：

(a)将用于半导体器件且具有包括要刻蚀薄膜的区域的基片浸入电解液使所说基片作负电极的步骤，

(b)设置具有和所说电解液中所说基片要刻蚀区域上将要形成的要求刻蚀的图形相对应的图形的相对电极，使所说相对电极与所说基片维持预定的间隔的步骤，和

(c)在所说基片和所说相对电极之间加直流电流或脉冲电流，将所说基片上要刻蚀的区域刻蚀成和所说相对电极的所说图形相对应的图形。

2.根据权利要求1的工艺，其特征为：基片和相对电极靠近放置。

3.根据权利要求1的工艺，其特征为：基片和相对电极之间的间隔为0.1mm到2mm。

4.根据权利要求1的工艺，其特征为：要刻蚀的区域由形成在基片上的薄膜构成。

5.根据权利要求1的工艺，其特征为：要刻蚀的区域由通过半导体层形成在基片上的薄膜构成。

6.根据权利要求1的工艺，其特征为：要刻蚀的区域由透明导电薄膜构成。

7.根据权利要求4的工艺，其特征为：薄膜是透明导电薄膜。

8.根据权利要求5的工艺，其特征为：薄膜是透明导电薄膜。

9.根据权利要求1的工艺，其特征为：桥接部件置于基片和相对电极之间。

10.根据权利要求9的工艺，其特征为：桥接部件由软材料构成。

11.根据权利要求9的工艺，其特征为：桥接部件由硅酮橡胶或硅酮海绵构成。

12.根据权利要求1的工艺，其特征为：基片的要刻蚀的区域由选自SnO₂、In₂O₃和ITO组成的组中的至少一种材料构成。

13.根据权利要求4的工艺，其特征为：薄膜由利用真空蒸发、离子蒸发、溅射、CVD、等离子体CVD或喷涂形成的至少一种材料构成。

14.根据权利要求1的工艺，其特征为：电解液包含选自由氯化钠、氯化钾、氯化铝、氯化锌、氯化锡、氯化铁、一氮化三钠、硝酸钾、盐酸、硝酸和硫酸组成的组中的至少一种化合物作为电解质。

15.根据权利要求1的工艺，其特征为：相对电极由选自铂、碳、金、不锈钢、镍、铜和铅组成的组中的至少一种材料构成。

16.根据权利要求1的工艺，其特征为：刻蚀基片要刻蚀的区域，同时使要刻蚀区域的不刻蚀部分与设置在相对电极端的桥接部件接触。

17.根据权利要求1的工艺，还包括在刻蚀步骤(c)后进行缺陷去除的步骤，所说缺陷去除步骤包括：加直流或脉冲使基片端正偏置，电解还原在刻蚀步骤(c)得到的刻蚀产品，由此至少去除存在于刻蚀过的产品上刻蚀区域的不合格部分周围的未刻蚀薄膜。

18.根据权利要求17的工艺，其特征为：刻蚀步骤(c)和缺陷去除步骤在同一种电解液中进行。

19.根据权利要求17的工艺，其特征为：在缺陷去除步骤中，要刻蚀区域和相对电极之间的距离比在刻蚀步骤(c)中要刻蚀区域和相对电极之间的距离大。

20.根据权利要求17的工艺，其特征为：用包含选自氯化钠、氯化钾、氯化铝、氯化锌、氯化锡、氯化铁、一氮化三钠、硝酸钾、盐酸、硝酸和硫酸组成的组中的至少一种化合物作为电解质的电解液进行缺陷去除步骤。

21.根据权利要求5的工艺，其特征为：半导体层为至少一个n型层、i型层和p型层的复合结构。

22.根据权利要求5的工艺，其特征为：半导体层包含选自非晶材料、多晶材料、微晶材料和单晶材料组成的组中的一种材料。

23.根据权利要求1的工艺，其特征为：半导体器件是光电半导体器件。

24.根据权利要求1的工艺，其特征为：半导体器件是光生伏打元件。