[发明专利]高亮度发光装置有效
申请号: | 01104741.0 | 申请日: | 2001-02-23 |
公开(公告)号: | CN1346154A | 公开(公告)日: | 2002-04-24 |
发明(设计)人: | 陈泽澎;张智松;江志立 | 申请(专利权)人: | 国联光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 亮度 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
(1)一基底;
(2)位于该基底上的一发光层;
(3)位于该发光层上的一电流限制层,该电流限制层包括允许电流流通的一传导层,以及位于该传导层外侧的一绝缘层;
(4)位于该电流限制层上的一电流散布层,该电流散布层具有一粗糙的顶表面;
(5)位于该电流散布层上的一介电层,定义该电流散布层的一暴露区域;
(6)位于该电流散布层的暴露区域上的一顶欧姆接触金属层;以及
(7)位于该基底以下的一底欧姆接触金属层;
其中,该绝缘层禁止电流在沿着该顶欧姆接触金属层与该底欧姆接触金属层之间的路径流动时流通经过其本身。
2.如权利要求1所述的发光装置,还包括位于该介电层上的一焊垫。
3.如权利要求2所述的发光装置,其中该焊垫延伸过该电流散布层之上以连接该顶欧姆接触金属层。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中该传导层的大小基本上等于该电流散布层的暴露区域。
5.如权利要求1所述的发光装置,还包括位于该底欧姆接触金属层以下的一下金属层。
6.如权利要求1所述的发光装置,还包括位于该发光层与该基底之间的一蚀刻终止层、基本上位于该基底中央的一孔洞、以及一下金属层;其中该孔洞定义一表面,且该下金属层形成于该表面上以及该底欧姆接触金属层以下。
7.如权利要求1所述的发光装置,其中该发光层还包括一下限制层、一上限制层、以及位于该下限制层以及该上限制层之间的一有源层。
8.一种发光装置,包括:
(1)一基底;
(2)位于该基底上的一发光层;
(3)位于该发光层上的一电流限制层,该电流限制层包括允许电流流通的一传导层,以及位于该传导层外侧的一绝缘层;
(4)位于该电流限制层上的一电流散布层,该电流散布层具有一粗糙的顶表面;
(5)位于该电流散布层的一侧的一顶欧姆接触金属层;以及
(6)位于该基底以下的一底欧姆接触金属层;
其中,该绝缘层禁止电流在沿着该顶欧姆接触金属层与该底欧姆接触金属层之间的路径流动时流通经过其本身。
9.如权利要求8所述的发光装置,还包括位于该底欧姆接触金属层以下的一下金属层。
10.如权利要求8所述的发光装置,还包括位于该发光层与该基底之间的一蚀刻终止层、基本上位于该基底中央的一孔洞、以及一下金属层;其中,该底欧姆接触金属层位于基底相对于该顶欧姆接触金属层的一侧,该孔洞定义一表面,且该下金属层形成于该表面上以及该底欧姆接触金属层以下。
11.如权利要求8所述的发光装置,其中该发光层还包括一下限制层、一上限制层、以及位于该下限制层以及该上限制层之间的一有源层。
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