[发明专利]一种陶瓷金属化基板的制造方法无效
申请号: | 01105682.7 | 申请日: | 2001-03-15 |
公开(公告)号: | CN1376020A | 公开(公告)日: | 2002-10-23 |
发明(设计)人: | 张成邦 | 申请(专利权)人: | 张成邦 |
主分类号: | H05K3/02 | 分类号: | H05K3/02;H05K3/24;H05K3/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200072 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 金属化 制造 方法 | ||
1.陶瓷金属化基板的制造方法,其特征在于:
首先将陶瓷基板粗化、超声波清洗、敏化处理、活化处理和化学镀铜,其铜膜3厚度范围为0.3μm~1.0μm;
其次将上述的化学镀铜膜3用电镀铜加厚,其铜层4厚度范围为5μm~100μm;
第三,将上述铜层4用湿法刻蚀成金属化图形;
最后,将上述带有图形的金属层和陶瓷基板进行共晶钎焊,钎焊温度范围为1065℃~1083℃,钎焊气氛为氮气,氮气中氧的浓度范围是5ppm~50ppm,钎焊时间为7~10分钟。
2.根据权利要求1中所述的共晶钎焊,其钎焊装置的特征在于:
炉体由5部分组成:进口、预热氧化区、钎焊区、冷却区、出口。其中预热氧化区的温度范围为600℃~950℃,氮气中氧浓度范围为100ppm~500ppm;钎焊区的温度范围为1000℃~1083℃,氮气中氧浓度范围是5ppm~50ppm;冷却区分为3部分:缓冷区、自然冷却区和水冷却区,氮气中氧浓度范围为10ppm以下。
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