[发明专利]一种用于人工晶体约束生长的方法和装置有效
申请号: | 01106772.1 | 申请日: | 2001-02-27 |
公开(公告)号: | CN1314505A | 公开(公告)日: | 2001-09-26 |
发明(设计)人: | 黄卫东;王猛;王文礼 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C30B19/00 | 分类号: | C30B19/00;C30B19/04 |
代理公司: | 航空工业部西北专利事务所 | 代理人: | 慕安荣 |
地址: | 710072 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 人工 晶体 约束 生长 方法 装置 | ||
1.一种在熔体中进行人工晶体生长的方法,其特征是采用夹持器[3]将籽晶引入熔体中,利用结晶器进行约束条件下的人工晶体生长。
2.如权利要求1所述的人工晶体生长方法,其特征是通过夹持器调整籽晶位向,使籽晶按特定的晶向外延生长。
3.如权利要求1所述的人工晶体生长方法,其特征是通过预先设计所需形状的生长器作为晶体生长的结晶器,在结晶器内部外延生长,形成具有特定形状和工作面的晶体器件。
4.如权利要求1所述的人工晶体生长方法,其特征是在晶体生长完成后,可以封闭结晶器。
5.一种用于实施权利要求1所述人工晶体生长方法的装置,其特征是晶体生长器是一个由引晶器[6],结晶器[7]、补缩装置连接成的腔体,其中引晶器[6]一端有开口,另一端与结晶器[7]连结,结晶器[7]底部与补缩装置连结。
6.如权利要求5所述人工晶体生长的装置,其特征是籽晶夹持器[3]的一端为夹头。
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