[发明专利]分子集成电路分子电器无效
| 申请号： | 01106836.1 | 申请日： | 2001-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1344027A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 丁文南 | 申请（专利权）人： | 丁文南 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 414500 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分子 集成电路 电器 | ||
1、分子集成电路分子电器，其特征是该分子集成电路分子电器利用分子技术就是以1/10000(微米)标准量化原理，基本电路构成处理系统由P/NMIC和N/PMIC两大类组成。
2、根据权利要求1所述的分子集成电路分子电器，其特征是P/NMIC电路由Pinp为分子控制点，Nout为分子功率点，分子电路由R为整个分子电路分子控制电阻，Pinp是P型半导体管为整个分子电路分子控制器，Nout是N型半导体管为整个分子电路分子功率器，P/NMIC分子电路中采用P型半导体器件和N型半导体器件运用互补复合方式构成，由电阻R为整个分子电路的分子控制电阻MR，分子控制电阻MR控制于P型半导体器件的电源输入端(如发射极或源极)，它形成整个分子电路的分子控制点，分子控制电阻MR和P型半导体器件构成整个分子电路的分子输入电路和分子控制器MC，P型半导体器件的(如集电极或漏极)输出直接耦合至N型半导体器件的输入端(如基极或栅极)，它形成了整个分子电路的分子功率点，N型半导体器件构成整个分子电路分子输出电路和分子功率器MP。
3、根据权利要求1所述的分子集成电路分子电器，其特征是N/PMIC电路由Ninp为分子控制点，Pout为分子功率点，分子电路由R为整个分子电路分子控制电阻，Ninp是N型半导体管为整个分子电路分子控制器，Pout是P型半导体管为整个分子电路分子功率器，N/PMIC分子电路中采用N型半导体器件和P型半导体器件运用互补复合方式构成，由电阻R为整个分子电路分子控制电阻MR，分子控制电阻MR控制于N型半导体器件的电源输出端(如发射极或源极)，它形成整个分子电路的控制点，分子控制电阻MR和N型半导体器件构成整个分子电路的分子输入电路和分子控制器MC，N型半导体器件的(如集电极或漏极)输入直接耦合到P型半导体器件的输出端(如基极或栅极)，它形成整个分子电路的分子功率点，P型半导体器件构成整个分子电路分子输出电路和分子功率器MP。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丁文南，未经丁文南许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01106836.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氯的制造方法
- 下一篇：含有维生素B3的化妆品组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
