[发明专利]制造可饱和吸收镜的合金配比调节

权利要求书

1．在锁模激光器中作为开关的一种可饱和吸收镜包括：

一个多层单片集成堆，沿着堆调制的这些层的厚度和指标都是线性调频的，其特征在于指标调节是通过堆的所选层的合金配比调节(digital alloy modulation)实现的。

2．根据权利要求1的饱和吸收器，其中所述所选层生长为双原子平面。

3．包括一个单片集成堆的一种饱和吸收器，依次包括：

一个衬底，

一个半导体层多层堆，其中窄能带隙材料层和高能带隙材料层交替排列，每层的光学厚度以及低能带隙材料的组分沿着堆而变化，从而实现所需的群延时特性，两种交替的半导体层中的一种的组分是三元组分，这样的层包括多个二元化合物的双原子平面，每层的宽度沿着堆随着层的距离而变化。

4．包括一个单片集成堆的一种饱和吸收器，依次包括：

一个衬底，

一个半导体层多层堆，其中窄能带隙材料层和高能带隙材料层交替排列，每层的光学厚度以及低能带隙材料的组分沿着堆而变化，从而实现所需的群延时特性，两种交替的半导体层中的一种的组分是三元组分，这样的层包括多个二元化合物的双原子平面，每层的宽度沿着堆随着层的距离而变化，以及

一个介电层的多层堆，在半导体层的多层堆顶部形成平滑边缘滤波器。

5．根据权利要求3的饱和吸收镜，其中宽能带隙层是由AlAs组成，窄能带隙层是由Al_xGa_1-xAs组成，其中X沿着堆随层的距离而变化，从而实现所需群延时色散。

6．根据权利要求5的饱和吸收镜，其中多层堆的终端为包括硅氧化物和硅氮化物交替的一个介电堆。

7．根据权利要求3的吸收镜，其中量子阱嵌入靠近半导体层多层堆顶部的至少一个能带隙层中。

8．根据权利要求5的吸收镜，其中量子阱嵌入至少一个Al_xGa_1-xAs层。

9．一种锁模激光器包括：

根据权利要求1的一种可饱和吸收器镜，用于形成光学腔的一个反射端，

一种部分透射组件，形成该光学腔的另一反射端，以及

一个置于光学腔内的激光器介质。

10．一种锁模激光器包括：

根据权利要求3的一个可饱和吸收器镜，形成光学腔的一个反射端，

一种部分透射组件，形成该光学腔的另一反射端，以及

一个置于光学腔内的激光介质。

11．一种锁模激光器包括：

根据权利要求5的一种可饱和吸收器镜，形成光学腔的一个反射端，

一个部分透射组件，形成光学腔的另一反射端，以及

一个置于光学腔内的激光介质。

12．一种锁模激光器包括：

根据权利要求6的一种可饱和吸收器镜，形成光学腔的一个反射端，

一个部分透射组件，形成光学腔的另一个反射端，以及

一个置于光学腔内的激光介质。

13．一种锁模激光器包括：

根据权利要求7的一种可饱和吸收器镜，形成光学腔的一个反射端，

一个部分透射组件，形成光学腔的另一个反射端，以及

一个置于光学腔内的激光介质。