[发明专利]用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

一个存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括连接于在该阵列的各自列中的存储器单元的位线和连接于在该阵列的各自行中的存储器单元的字线；

一个连接于该位线的偏置电路，其中该偏置电路包括一个开关和一个控制电路，该控制电路操作该开关以当同时改变一组位线上的电压时限制形成的电流。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中

该开关包括连接于一个第一电压和该位线之间的一个第一晶体管；

该控制电路控制该第一晶体管的一个栅极电压以便在该位线的改变期间该栅极电压小于一个电源电压并大于一个地电压。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器，其中

该第一电压是一个电源电压；和

该第一晶体管是一个第一PMOS晶体管。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器，其中控制电路包括：

一个连接于该第一PMOS晶体管的栅极的输出端子；

参考电压源、电源电压、和地；和

一个可以将该参考电压、该电源电压、和该地的任意一个连接到该输出端子的输出电路。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器，其中

该参考电压源包括串联于该电源电压和该地之间的一个第二PMOS晶体管和一个NMOS晶体管；和

该第二PMOS晶体管的栅极和漏极被连接在一起并从该第二PMOS晶体管的该栅极和该漏极提供该参考电压，由此当开关电路操作以连接该参考电压到该输出端子时，经过该第一PMOS晶体管的电流映射的电流流经该第二PMOS晶体管。

6.如权利要求2所述的非易失性存储器，其中

该第一电压是地；和

该第一晶体管是NMOS晶体管。

7.如权利要求2所述的非易失性存储器，其中该控制电路从第一电压、第二电压、和第三电压中选择用于连接到该第一晶体管栅极的电压。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器，其中：

该第一电压允许一个受限制的电流经过该第一晶体管；

该第二电压导通该第一晶体管；和

该第三电压截止该第一晶体管。

9.如权利要求2所述的非易失性存储器，其中：

该偏置电路还包括一个连接于一个第二电压和该位线之间的第二晶体管；和

该控制电路控制该第二晶体管的栅极电压以便当放电该位线时，该第二晶体管传导一个该第二晶体管的小于饱和电流的电流。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中：

该位线包括交错的偶数位线和奇数位线；和

当同时改变偶数位线上的电压时和当同时改变奇数位线上的电压时，该偏置电路限制生成的电流。

11.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中该非易失性存储器是NAND型闪速存储器。

12.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中：

该开关包括连接于第一电压和该位线之间的第一晶体管；和

该控制电路控制该第一晶体管的栅极电压以便在该位线的充电期间该晶体管传导一个映射一个参考电流的电流。

13.如权利要求1所述的非易失性存储器，还包括一个通过该偏置电路连接于该位线的页缓冲器。

14.一种非易失性存储器，包括：

一个单元阵列；

一个虚拟电源节点；

一个连接电路，控制虚拟电源节点到单元阵列中的位线的连接，用来对然后连接于该虚拟电源节点的该位线充电或放电；

一个PMOS晶体管，连接于该虚拟电源节点和电源电压之间；

一个NMOS晶体管，连接于该虚拟电源节点和地之间；和

一个连接的控制电路，用于提供第一控制信号给该PMOS晶体管的栅极并提供第二控制信号给该NMOS晶体管的栅极。