[发明专利]半导体存储器生产系统和半导体存储器生产方法

权利要求书

1．一种半导体存储器生产系统，包括：

晶片生产线，用于在晶片上用多种晶片生产装置生产多个半导体存储器芯片；

晶片测试装置，用于测试所述芯片的电气特性；

替换地址确定装置，用于根据所述晶片测试装置的测试结果确定在所述半导体存储器中安装的冗余存储器中的替换地址；

估计部，用于根据所述替换地址的统计处理结果估计故障的成因；

其中在所述晶片生产线上识别出造成故障的晶片生产装置，并且消除故障成因。

2．根据权利要求1的半导体存储器生产系统，其中所述估计部配备有缺陷分布分析装置，用来根据所述替换地址产生替换地址分布，以及

工艺缺陷估计装置，用于通过将所述替换地址分布与先前储存的缺陷分布图比较来估计工艺缺陷。

3．根据权利要求1的半导体存储器生产系统，其中提供了缺陷分布分析装置，用于产生对所述晶片中特定替换地址的替换数量。

4．根据权利要求1的半导体存储器生产系统，其中提供了一种缺陷分布分析装置，用于产生所述替换数量的历史。

5．一种半导体存储器生产系统，其中对在晶片上制造的半导体存储器进行测试，对测试结果进行统计处理以推断故障的成因，并且从所述晶片生产装置中消除故障的成因，

其中，设置了半导体测试部，其测试所述半导体存储器并输出一位图，该位图显示对半导体存储器各存储单元地址判断出来的故障或合格结果，

替换地址判定部，其从所述位图中提取出故障位的位地址，并且根据该位地址，确定要用安装在半导体存储器中的冗余存储器部的冗余字线和/或冗余位线来替换的替换字线和/或替换位线地址，和

估计部，用于根据所述替换地址得到的对每个半导体存储器的置换字线或/和位线的替换数目，用统计分析估计工艺缺陷。

6．根据权利要求1的半导体存储器生产系统，其中所述估计部配备有熔丝地址设定部，用于产生表示被熔丝断开部分的熔丝地址，其为所述替换地址设置冗余字线和/或冗余位线的地址，以及

提取部，用于从所述熔丝地址中提取为各半导体存储器置换的字线和/或位线的替换数目，以及各晶片的各半导体存储器芯片的分布状况。

7．根据权利要求1的半导体存储器生产系统，其中所述估计部配备有图形形成部，其用对应于所述替换数目的颜色或灰度来指示所述晶片上的各半导体存储器芯片。

8．根据权利要求1的半导体存储器生产系统，其中所述估计部将替换数目图与事先储存的为每个工艺异常而生成的替换数目图比较，并根据该比较结果估计特定的工艺异常。

9．一种半导体存储器生产方法，包括：

晶片加工步骤，通过多个加工步骤在晶片上形成半导体存储器；

晶片测试步骤，在晶片状态测试所述晶片，以选择无缺陷产品；

位图输出步骤，输出作为所述测试结果的各半导体存储器存储单元的地址，和用于显示对地址的合格和故障判断结果的位图；

替换地址确定步骤，从所述位图提取出故障位的位地址，并根据该位地址确定要用安装在半导体存储器中的冗余存储器部的冗余字线和/或冗余位线来替换的替换字线和/或位线地址；以及

工艺缺陷估计步骤，根据为各半导体存储器置换字线或/和位线的替换数目，用统计分析估计工艺缺陷，或通过对每块晶片中半导体存储器的分布状态的统计分析估计工艺缺陷，所述替换数目是根据所述替换地址得到的。

10．根据权利要求9的半导体存储器生产方法，其中所述工艺缺陷估计步骤中还提供有熔丝地址设定部，用于产生表示被熔丝断开的部分的熔丝地址，其为所述替换地址设置冗余字线和/或冗余位线的地址，以及

提取步骤，用于从熔丝地址中提取为各半导体存储器置换的字线和/或位线的替换数目，以及各晶片的每个半导体存储器芯片的分布状况。

11．根据权利要求9的半导体存储器生产方法，其中所述工艺缺陷估计步骤还提供有图形形成部分，其用对应于所述替换数目的颜色或灰度来指示在晶片上的各半导体存储器芯片。

12．根据权利要求9的半导体存储器生产方法，其中所述工艺缺陷估计步骤将所述替换数目图形与事先储存的为每个工艺异常而生成的替换数目图形比较，并根据该比较结果估计特定的工艺异常。