[发明专利]具分时充电架构的承受机处理内存无效
申请号: | 01109218.1 | 申请日: | 2001-02-26 |
公开(公告)号: | CN1372266A | 公开(公告)日: | 2002-10-02 |
发明(设计)人: | 廖敏顺;刘鸿志 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00;G11C7/12 |
代理公司: | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分时 充电 架构 承受 处理 内存 | ||
1.一种具有分时充电架构的随机处理内存,其包括:
内存数组,其由MXN个记忆单元组成M列N行的数组;
复数条字符线,其连接相同一列的复数个该记忆单元;
复数条位线,其连接相同一行的复数个该记忆单元;
复数个上牵组件,其具有一位线端、一电压端及一控制讯号端;
复数个检测放大器,其连接相同一行的位线;
其中,连接至各个该上牵组件的各个控制讯号是以彼此不同时段出现高电位周期,使该上牵组件导通而对该位线充电。
2.如权利要求1所述的随机处理内存,其中,该控制讯号是以依时间顺序先后的相同周期高电位讯号,使上牵组件导通。
3.如权利要求1所述的随机处理内存,其中,该记单元连接至相同一行的位线端,该电压源连接至电压端,该控制讯号连接至控制讯号端。
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