[发明专利]多层薄光阻的微影制程有效
| 申请号： | 01109525.3 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1379442A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王立铭;蔡高财 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 薄光阻 微影制程 | ||
1、一种多层薄光阻的微影制程，适用于一基底，以在基底上形成具预定厚度的复合光阻层，其特征在于：其包括下列步骤：
形成光阻层于基底之上；
使用光罩对光阻层进行曝光，再进行显影以图案化光阻层；
稳定化光阻层；以及
重复上述步骤，继续累积并图案化至少另一光阻层于基底之上，并使每一光阻层的图案与前一光阻层的图案相同，直至形成具预定厚度的复合光阻层为止。
2、根据权利要求1所述的多层薄光阻的微影制程，其特征在于：其中任一光阻层的型态为正光阻与负光阻二者之一。
3、根据权利要求1所述的多层薄光阻的微影制程，其特征在于：当第一层光阻层以后的任一光阻层的型态为正光阻时，在光阻层形成于前一光阻层上方之后与接受图案化之前，光阻层与前一光阻层以及基底共形。
4、根据权利要求3所述的多层薄光阻的微影制程，其特征在于：其中形成与前一光阻层及基底共形的光阻层的方法，包括减低光阻层的厚度。
5、根据权利要求1所述的多层薄光阻的微影制程，其特征在于：当任一光阻层的型态与前一光阻层的型态相同时，图案化光阻层时所使用的光罩与图案化前一光阻层时所使用的光罩相同。
6、根据权利要求1所述的多层薄光阻的微影制程，其特征在于：当任一光阻层的型态与前一光阻层的型态相异时，图案化光阻层时所使用的光罩与图案化前一光阻层时所使用的光罩的图案互补。
7、根据权利要求1所述的多层薄光阻的微影制程，其特征在于：其中稳定化每一些光阻层的方法包括加热烘烤法。
8、一种双层光阻的微影制程，其特征在于：其包括下列步骤：
形成第一光阻层于基底之上；
使用第一光罩对第一光阻层进行曝光，再进行显影以图案化第一光阻层；
稳定化第一光阻层；
形成第二光阻层于基底与第一光阻层之上；
使用第二光罩对第二光阻层进行曝光，再进行显影以图案化第二光阻层；以及
稳定化第二光阻层。
9、根据权利要求8所述的双层光阻的微影制程，其特征在于：其中第一光阻层与第二光阻层的型态皆为正光阻与负光阻二者之一。
10、根据权利要求8所述的双层光阻的微影制程，其特征在于：当第二光阻层的型态为正光阻时，在第二光阻层形成于第一光阻层上方之后与接受图案化之前，第二光阻层与第一光阻层以及基底共形。
11、根据权利要求8所述的双层光阻的微影制程，其特征在于：当第二光阻层的型态与第一光阻层的型态相同时，第二光罩的图案与第一光罩的图案相同。
12、根据权利要求8所述的双层光阻的微影制程，其特征在于：当第二光阻层的型态与第一光阻层的型态相异时，第二光罩的图案与第一光罩的图案互补
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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