[发明专利]动态随机存储器电容器的制造方法

权利要求书

1、一种动态随机存储器电容器的制造方法，适用于一基底上，其特征在于：该制造方法至少包括：

在基底上定义复数个主动区；

在基底上定义复数条互相平行排列的字符线，这些字符线间以一间隙隔开；

在间隙中填入第一绝缘层；

定义第一绝缘层，形成作为位线接触窗的第一自动对准接触窗开口以及作为节点接触窗的第二自动对准接触窗开口；

在第一自动对准接触窗开口与第二自动对准接触窗开口中填入导电材料，形成第一自动对准接触窗与第二自动对准接触窗；

在这些字符线上形成第二绝缘层；

定义第二绝缘层，形成一位线接触窗开口；

在位线接触窗开口填入导电材料，形成一位线接触窗，使位线接触窗经由第一自动对准接触窗与基底电性耦接；

在第二绝缘层上形成一介电层；

定义介电层，形成复数条与字符线垂直而互相平行排列的沟道；

在这些沟道中填入导电材料，形成复数条位线，这些位线的一上表面低于介电层，且这些位线经由位线接触窗与第一自动对准接触窗电性连接；

在位线上形成一硬材料层，将这些沟道填满；

定义介电层与第二绝缘层，形成一节点接触窗开口；以及

在节点接触窗开口中填入导电材料，形成一节点接触窗，其中节点接触窗经由第二自动对准接触窗与基底电性耦接。

2、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中这些主动区是以一浅沟道隔离结构定义。

3、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中这些字符线是在基底上依序形成一导电层与一覆绝缘层，之后定义导电层与覆绝缘层成复数条互相平行排列的线，并在这些线的侧壁上形成一硬材料间隙壁而形成。

4、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：包括在这些字符线侧边的基底形成一源/漏极区。

5、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：在间隙中填入第一绝缘层包括：

在基底上形成绝缘材料，填入间隙中，并延伸至字符线上；以及

以化学机械研磨法平坦化绝缘材料，使这些字符线暴露出。

6、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中形成第一自动对准接触窗开口与第二自动对准接触窗开口包括：

在字符线与第一绝缘层上形成一不连续的T形岛状光阻图案；以及

以T形岛状光阻图案为罩幕，蚀刻部分这些间隙中的第一绝缘层，使基底暴露出。

7、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中第一自动对准接触窗与第二自动对准接触窗的形成包括：

在字符线上与第一绝缘层上形成导电材料，填入第一自动对准接触窗开口与第二自动对准接触窗开口，且延伸至字符线与第一绝缘层上；以及

以化学机械研磨法研磨导电材料，使这些字符线暴露出。

8、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中位线接触窗开口的形成包括：

在第二绝缘层上形成一位线接触窗开口光阻图案；以及

以位线接触窗开口光阻图案为罩幕，蚀刻第二绝缘层，暴露出第一自动对准接触窗。

9、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中位线接触窗的形成包括：

在第二绝缘层上形成导电材料，填入位线接触窗开口，且延伸至第二绝缘层上；以及

以化学机械研磨法研磨导电材料，使第二绝缘层暴露出。

10、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中这些沟道的形成包括：

在介电层上形成一线形位线光阻图案；以及

以线形位线光阻图案为罩幕，蚀刻介电层，暴露出位线接触窗。

11、根据权利要求1所述的动态随机存储器电容器的制造方法，其特征在于：其中形成这些位线包括：

在介电层上形成导电材料，填入这些沟道中，并延伸至介电层上；以及

回蚀刻填入这些沟道的导电材料，暴露出介电层，且使这些沟道仅有部分深度具有导电材料，作为位线。