[发明专利]带改进压力腔的喷墨打印头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01109855.4 申请日: 2001-03-21
公开(公告)号: CN1314248A 公开(公告)日: 2001-09-26
发明(设计)人: 大野健一;铃木健一郎;秋本裕二;神田虎彦;大泰弘 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: B41J2/135 分类号: B41J2/135;B41J2/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 改进 压力 喷墨 打印头 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种喷墨打印头,它包括:带压力腔(3)的第一开孔的基板(301,401),其特征在于,所述第一开孔的截面从所述基板的前表面到所述基板的中间段逐渐加大,而从所述基板的中间段到所述基板的后表面逐渐减小,所述基板前表面的所述第一开孔用作喷嘴(1)。

2.如权利要求1所述的喷墨打印头,其特征在于,还包括在所述基板的前表面上形成的第一导电层(306,406),所述第一导电层具有引向所述第一开孔的所述喷嘴(1)的第二开孔。

3.如权利要求1所述的喷墨打印头,其特征在于,还包括在所述基板的后表面上形成的第二导电层(302),所述第二导电层具有引向所述第一开孔的第三开孔。

4.如权利要求1所述的喷墨打印头,其特征在于,所述中间层比起所述基板的前表面更加靠近所述基板的后表面,使所述基板前表面上的所述第一开孔的截面小于所述基板后表面上的所述第一开孔的截面。

5.如权利要求1所述的喷墨打印头,其特征在于,所述基板由单晶硅制成,所述单晶硅具有在所述基板的前后表面上的{100}面,和在所述第一开孔上的{111}面。

6.如权利要求2所述的喷墨打印头,其特征在于,所述第一导电层由掺杂的硅制成。

7.如权利要求3所述的喷墨打印头,其特征在于,所述第二导电层由掺杂的硅制成。

8.如权利要求1所述的喷墨打印头,其特征在于,还包括:

粘附到所述基板后表面上的振动片(304,404);以及

按与所述喷嘴对应的方式粘附到所述振动片上的致动器(305,405)。

9.如权利要求3所述的喷墨打印头,其特征在于,还包括:

粘附到所述第二导电层上的振动片(304,404);以及

按与所述喷嘴对应的方式粘附到所述振动片上的致动器(305,405)。

10.一种制造喷墨打印头的方法,包括以下步骤:

至少在硅基板(301)的前后表面之一上制成杂质扩散层(302,306);

在所述硅基板的前表面上制成具有喷嘴(1)之开孔(303a)的蚀刻掩膜层(303);

用所述蚀刻掩膜层作为掩膜,而以所述杂质扩散层作为蚀刻抑制层,在所述硅基板上实行各向异性的干法蚀刻过程;

在实行所述各向异性干法蚀刻过程之后,在所述硅基板上实行各向异性的湿法蚀刻过程,在其中形成压力腔(3)。

11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述杂质扩散层形成步骤将p型杂质注入所述硅基板中。

12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述蚀刻掩膜层由氧化硅和氮化硅之一制成。

13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述硅基板具有在所述硅基板前后表面上的{100}面。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述硅基板具有在所述压力腔侧壁上的{111}面。

15.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述各向异性湿法蚀刻过程使用乙二胺邻苯二酚水或氢氧化四甲铵水之一。

16.如权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括以下步骤:

在实行所述各向异性湿法蚀刻过程之后,用所述蚀刻掩膜层作为掩膜,并以所述杂质扩散层作为蚀刻抑制层,在所述硅基板上实行斜向的各向异性干法蚀刻过程;以及

在实行所述斜向的各向异性干法蚀刻过程之后,在所述硅基板上实行附加的各向异性湿法蚀刻过程。

17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述斜向的各向异性干法蚀刻过程使用乙二胺邻苯二酚水或氢氧化四甲铵水之一。

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