[发明专利]沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1、一种沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括：

提供一基底，该基底上具有一磊晶层，且于该磊晶层中形成一井区；

于该基底具有该井区的该磊晶层中形成一沟道；

于该沟道侧壁周缘的部分的该井区中形成一源极区；

于该基底上形成一栅极介电层；

于该沟道之中与部分该磊晶层上的该栅极介电层上形成一导体栅极层与一顶盖层；

进行一第一离子植入步骤，以将一物种植入于该磊晶层的表面，使该磊晶层的氧化速率减缓；

进行一热氧化制造工艺，以使该导体栅极层的侧壁氧化而形成一氧化间隙壁；

于该基底上形成一介电层；

进行一自动对准接触窗开口制造工艺，以在该介电层中形成裸露出该源极的一接触窗开口；以及

于该接触窗开口与该介电层的表面形成一金属层，以电性连接该源极区。

2、如权利要求1所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：该第一离子植入步骤所植入的该物种包括氮气阳离子。

3、如权利要求2所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：该第一离子植入步骤所植入的该物种的剂量为每平方公分1E15至3E16个氮气阳离子。

4、如权利要求2所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：该第一离子植和步骤的能量为25KeV至150KeV。

5、如权利要求1所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：更包括于该顶盖层与该导体栅极层之间形成一缓冲层。

6、如权利要求5所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：该缓冲层的材质包括氧化硅。

7、如权利要求1所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：该基底的该磊晶层形成该井区，并于该具有该井区的磊晶层中形成该沟道的步骤包括：

于该磊晶层进行一第二离子植入步骤与一热驱入制造工艺，以在该磊晶层中形成该井区；

于该磊晶层上形成具有一开口区的一罩幕层；以及

以该罩幕层为硬罩幕，去除该开口区所裸露的部分该具有该井区的该磊晶层，以在该磊晶层及该井区中形成该沟道。

8、如权利要求1所述的沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于：该基底的该磊晶层形成该井区，并于该具有该井区的该磊晶层中形成该沟道的步骤包括：

于该基底上形成一牺牲氧化层；

于该牺牲氧化层上形成一图案化光阻层；

以该图案化光阻层为罩幕，进行一第二离子植入步骤与一热驱入制造工艺，以在该磊晶层中形成该井区；

去除该图案化光阻层；

于该牺牲氧化层上形成一罩幕层，该罩幕层具有一开口区；

以该罩幕层为硬罩幕，去除该罩幕层的该开口区所裸露的该牺牲氧化层与该磊晶层，以在该磊晶层中形成该沟道；以及去除该罩幕层与该牺牲氧化层。

9、一种沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括：

提供一基底，该基底上具有一磊晶层；

进行一第一离子植入步骤与一热驱入制造工艺，以在该磊晶层中形成一井区；

于该磊晶层上形成具有一开口区的一罩幕层；

以该罩幕层为硬罩幕，去除该开口区所裸露的部分该具有该井区的该磊晶层，以在该磊晶层及该井区中形成一沟道；

于该沟道侧壁周缘的部分该井区中形成一源极区；

在该基底上形成一栅极介电层；

于该沟道之中与该磊晶层上形成、并定义一多晶硅栅极层与一顶盖层；

进行一第二离子植入步骤，以将氮气阳离子植入于该磊晶层的表面，使该磊晶层的氧化速率减缓；

进行一热氧化制造工艺，以在该多晶硅栅极层的侧壁形成一氧化间隙壁；

于该基底上形成一介电层；

进行一自动对准接触窗开口制造工艺，以在该介电层中形成裸露出该源极的一接触窗开口；以及

于该接触窗开口与该介电层的表面形成一金属层，以电性连接该源极区。