[发明专利]具有可靠电连接的半导体器件

权利要求书

1．一种制造半导体器件的方法，包括：

制备具有多个凸出电极的半导体芯片；

制备具有多个焊盘电极的布线衬底；

在所述布线衬底上，涂敷其中分散了无机填料的液体树脂材料；

通过所述树脂材料，使所述半导体芯片与所述布线衬底相向配置，通过将所述凸出电极叠压到所述焊盘电极上，电连接所述凸出电极和所述焊盘电极，在振动所述凸出电极附近的所述树脂材料并从所述凸出电极和所述焊盘电极之间的重叠交界部分排除所述无机填料的同时，使所述凸出电极和所述焊盘电极电连接；以及

固化所述树脂材料以粘接所述半导体芯片和所述布线衬底。

2．如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，每个所述凸出电极的端部的横截面积越向末端越小。

3．如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，通过对所述半导体芯片或所述布线衬底施加超声波振动，振动所述凸出电极附近的所述树脂材料。

4．如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在通过所述树脂材料使所述半导体芯片与所述布线衬底的进行所述相向布置时，通过将所述凸出电极叠压到所述焊盘电极上，电连接所述凸出电极和所述焊盘电极，所述凸出电极被压到所述焊盘电极上，使得所述凸出电极弹性变形，在所述凸出电极弹性变形的条件下开始施加所述超声波振动。

5．如权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，通过在所述凸出电极弹性变形的条件下开始所述施加所述超声波振动，使每个所述凸出电极与相应的所述焊盘电极的接触面积迅速扩大。

6．如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述超声波振动的输出是每个凸出电极20-100mW。

7．如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述超声波振动的施加时间是0.1-5秒。

8．如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，用超声波焊接方法来焊接所述凸出电极和所述焊盘电极。

9．如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在通过所述树脂材料使所述半导体芯片与所述布线衬底相向布置时，在通过将所述凸出电极叠压到所述焊盘电极上，来电连接所述凸出电极和所述焊盘电极的过程中，当加热所述半导体芯片时，通过将所述凸出电极压到所述焊盘电极上，使所述凸出电极和所述焊盘电极热压接合。

10．如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在振动所述凸出电极附近的所述树脂材料之前，加热所述树脂材料，以便降低所述树脂材料的粘度。

11．如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述无机填料包括微细的氧化铝或氧化硅粉末。

12．一种半导体器件，包括：

具有多个焊盘电极的布线衬底；

具有多个凸出电极并与所述布线衬底相对的半导体芯片，所述半导体芯片的所述凸出电极分别与所述布线衬底的所述焊盘电极电连接；以及

填充所述半导体芯片和所述布线衬底并且粘接所述半导体芯片和所述布线衬底的树脂材料部分，所述树脂材料包含分散在其中的无机填料；

其特征在于，在所述凸出电极和所述焊盘电极之间的重叠交界部分中几乎不存在所述无机填料，在所述树脂材料中，所述无机填料分散度在所述重叠交界部分附近和周围比在其它部分更大。

13．一种制造半导体器件的方法，包括：

制备具有多个凸出电极的半导体芯片；

制备具有多个焊盘电极的布线衬底；

在所述布线衬底上，涂敷其中分散了无机填料的液体树脂材料；

通过所述树脂材料，使所述半导体芯片与所述布线衬底相对，将所述凸出电极叠压到所述焊盘电极上，将所述凸出电极压到所述焊盘电极上使得所述凸出电极弹性变形；

在所述凸出电极被压到所述焊盘电极上，使得所述凸出电极弹性变形的条件下，对所述半导体芯片和/或所述布线衬底施加超声波振动，电连接所述凸出电极和所述焊盘电极；以及

固化所述树脂材料以粘接所述半导体芯片和所述布线衬底。

14．如权利要求13所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，每个所述凸出电极的端部的横截面积越向末端越小。