[发明专利]埋入式电容器下电极的制造方法

权利要求书

1.一种埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其步骤包括：

a.提供一掺有第一型杂质的硅基底，并且在该硅基底内定义出一沟渠；

b.形成一第一氧化层适顺性地覆盖该沟渠的内壁；

c.利用光蚀刻工艺以及回蚀刻技术于该沟渠底部填入一定深度的光阻；

d.利用液相沉积法形成一第二氧化层适顺性地覆盖该第一氧化层表面；

e.去除位在该沟渠底部的该光阻；

f.去除该沟渠内未被该第二氧化层所覆盖的第一氧化层，使得该沟渠底部的硅基底侧壁裸露出来；

g.形成一掺有第二型杂质的硅玻璃层，适顺性地覆盖于该第二氧化层和该沟渠底部的硅基底侧壁上；

h.形成一保护层于该掺有杂质的硅玻璃层上；

i.施一退火处理，使得该掺有杂质的硅玻璃层内所含的杂质往该沟渠底部的硅基底侧壁内部扩散驱入，形成一掺杂区，作为埋入式电容器的下电极；以及

j.去除该保护层、该硅玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层。

2.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该第一氧化层是氧化硅，其厚度约为5～100。

3.如权利要求2所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该第一氧化层是利用干式氧化法形成。

4.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该第二氧化层是利用液相沉积法形成，其厚度约为100～300。

5.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该步骤f是以湿浸渍法将未被该第二氧化层所覆盖的该第一氧化层去除。

6.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该保护层是四乙氧基硅化物层所构成，其厚度约为100～300。

7.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该第一型是P型，第二型是N型。

8.如权利要求7所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该掺有第二型杂质的硅玻璃层是砷硅玻璃或磷硅玻璃。

9.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该第一型是N型，第二型是P型。

10.如权利要求9所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该掺有第二型杂质的硅玻璃层是硼硅玻璃。

11.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该退火处理是于温度900～1200℃的氮气环境中进行，为时10分～50分。

12.如权利要求1所述的埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其中该步骤j)是以湿蚀刻法将该保护层、该硅玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层去除。

13.一种埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其步骤包括：

a.提供一掺有第一型杂质的硅基底；

b.形成一包含有一露出该基底表面的开口的硬掩膜层于该基底上；

c.以该硬掩膜层作为蚀刻掩膜，蚀刻去除该开口下所裸露的基底，并且于该基底内形成一沟渠；

d.形成一第一氧化层适顺性地覆盖该硬掩膜层表面和该沟渠的内壁；

e.利用光蚀刻工艺形成一第一光阻于该第一氧化层上，并且将该沟渠填满；

f.回蚀刻去除位在该硬掩膜上方以及部分位在该沟渠内的该第一光阻，形成一沟填于该沟渠底部的第二光阻；

g，利用液相沉积法形成一第二氧化层适顺性地覆盖该硬掩膜层表面和该沟渠内的该第一氧化层表面；

h.去除位在该沟渠底部的该第二光阻；

i.去除该沟渠内未被该第二氧化层所覆盖的第一氧化层，使得该沟渠底部的硅基底侧壁裸露出来；

j.形成一掺有第二型杂质的硅玻璃层，适顺性地覆盖于该第二氧化层和该沟渠底部的硅基底侧壁上；

k.形成一保护层于该掺有杂质的硅玻璃层上；

l.施一退火处理，使得该掺有杂质的硅玻璃层内所含的杂质往该沟渠底部的硅基底侧壁内部扩散驱入，形成一掺杂区，作为埋入式电容器的下电极；以及

m.去除该保护层、该硅玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层。