[发明专利]一种叠层栅快闪存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：包括下列步骤：

(a)在一硅基底上沉积一穿遂氧化层与一第一多晶硅层，然后离子注入该第一多晶硅层；

(b)在该第一多晶硅层上沉积一第一氧化层，然后再沉积一氮化物层，接着对该第一多晶硅层进行微影制程，以形成一第一多晶硅叠层结构；

(c)对该硅基底进行蚀刻，以在该硅基底中至少产生一浅沟渠，接着沉积一第二氧化层以填满该浅沟渠；

(d)进行化学机械研磨平坦化与回蚀氧化层，以去除超出该浅沟渠部分的该第二氧化层；

(e)沉积一第二多晶硅层，然后离子注入该第二多晶硅层，并蚀刻该第二多晶硅层，用以在该第一多晶硅叠层结构的侧壁上形成一第二多晶硅间隙壁；

(f)以湿蚀刻去除该氮化物层，接着以湿浸泡去除在该第一多晶硅层顶部的该第一氧化层，其中，该第二多晶硅间隙壁与该第一多晶硅层形成一U-型三度空间浮置栅；以及

(g)沉积一内多晶硅介电膜与一第三多晶硅层，接着对该第三多晶硅层进行蚀刻平板印刷工艺，用以从该第三多晶硅层中形成一控制栅；

(h)其中该内多晶硅介电膜与该控制栅配合该浮置栅的U-型三度空间轮廓，因此可增大在该控制栅与该浮置栅之间的面积交叠部分。

2.如权利要求1所述的一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：其中该氮化物层所沉积的厚度为使该第一多晶硅叠层结构与该U-型浮置栅的设计高度一致。

3.如权利要求1所述的一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：其中该第二多晶硅层所沉积的厚度与在相邻的浮置栅之间的设计分离间距一致。

4.如权利要求1所述的一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：其中该穿遂氧化层有一70埃至100埃的厚度。

5.如权利要求1所述的一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：其中该第一多晶硅层有一300埃至1000埃的厚度。

6.如权利要求1所述的一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：其中该第一氧化层有一100埃至1000埃的厚度。

7.如权利要求1所述的一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：其中该氮化物层有一3000埃的厚度。

8.一种叠层栅快闪存储单元，其特征是：叠层包括：

(a)一基底，与在该基底上的一穿遂氧化层；

(b)在该穿遂氧化层上的一U-型浮置栅，该U-型浮置栅包括一底部部分与一翼部部分；以及

(c)一控制栅，与在该浮置栅与该控制栅之间的一内多晶硅氧化三明治层结构，该内多晶硅氧化层与该控制栅配合该浮置栅的U-型轮廓，因此能增加在该控制栅与该浮置栅间的面积交叠部分。

9.如权利要求8所述的一种叠层栅快闪存储单元，其特征是：其中制造该结构的方法包括下列步骤：

(a)在一硅基底上沉积一穿遂氧化层与一第一多晶硅层，然后离子注入该第一多晶硅层；

(b)在该第一多晶硅层上沉积一第一氧化层，然后再沉积一氮化物层，接着对该第一多晶硅层进行蚀刻平板印刷，以形成一第一多晶硅叠层结构；

(c)对该硅基底进行蚀刻，以在该硅基底中至少产生一浅沟渠，接着沉积一第二氧化层以填满该浅沟渠；

(d)进行化学机械研磨平坦化与回蚀氧化层，以去除超出该浅沟渠部分的该第二氧化层；

(e)沉积一第二多晶硅层，然后离子注入该第二多晶硅层，并蚀刻该第二多晶硅层，用以在该第一多晶硅叠层结构的侧壁上形成一第二多晶硅间隙壁；

(f)以湿蚀刻去除该氮化物层，接着以湿浸泡去除在该第一多晶硅层顶部的该第一氧化层，其中，该第二多晶硅间隙壁与该第一多晶硅层形成一U-型三度空间浮置栅；以及

(g)沉积一内多晶硅介电膜与一第三多晶硅层，接着对该第三多晶硅层进行蚀刻平板印刷工艺，用以从该第三多晶硅层中形成一控制栅；

(h)其中该内多晶硅介电膜与该控制栅配合该浮置栅的U-型三度空间轮廓，因此可增大在该控制栅与该浮置栅之间的面积交叠部分。

10.如权利要求9所述的一种叠层栅快闪存储单元，其特征是：其中该氮化物层所沉积的厚度为使该第一多晶硅叠层结构与该U-型浮置栅的设计高度一致。