[发明专利]具有基底接触的绝缘层上有硅的结构无效
| 申请号： | 01110319.1 | 申请日： | 2001-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1379477A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林泓均;王是琦 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 基底 接触 绝缘 层上有硅 结构 | ||
1.一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于包括：
一绝缘层上有硅的基底，包括一硅层形成在一绝缘层之上；
一栅极，位于该硅层上；
一源/漏极区，位于该栅极侧边的该硅层中；
一基底接触，位于该绝缘层中，且有部分与该硅层邻接。
2.根据权利要求1项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该基底接触包括以一复晶硅层构成。
3.根据权利要求2项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该基底接触还包括一金属硅化物，位于该复晶硅层与该绝缘层之间。
4.根据权利要求2项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该复晶硅层的掺杂电性与该源/漏极区的掺杂电性相反。
5.根据权利要求1项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该绝缘层包括一氧化物层。
6.根据权利要求1项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：它还包括一栅极氧化物层，位于该栅极与该硅层之间。
7.根据权利要求1项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该基底接触包括位于该栅极与该源极区之间的该绝缘层邻接该硅层处。
8.一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，适用在一基底上，其特征在于包括：
一绝缘层，位于该基底之上；
一硅层，位于该绝缘层之上；
一栅极，位于该硅层上；
一源极区，位于该栅极的一边的该硅层中；
一漏极区，位于该栅极的另一边的该硅层中；
一基底接触，位于该源极区与该栅极之间的该绝缘层与该硅层界面。
9.根据权利要求8项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该基底接触包括以一复晶硅层构成。
10.根据权利要求9项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该基底接触还包括一金属硅化物，位于该复晶硅层与该绝缘层之间。
11.根据权利要求9项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该复晶硅层的掺杂电性与该源/漏极区的掺杂电性相反。
12.根据权利要求8项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：该绝缘层包括一氧化物层。
13.根据权利要求8项所述的具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于：它还包括一栅极氧化物层，位于该栅极与该硅层之间。
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