[发明专利]闪存的制造方法

权利要求书

1、一种闪存的制造方法，其特征在于：其至少包括：

提供一基底，其中基底具有复数个浮置栅极，且这些浮置栅极之间分别以一宽度与二宽度相间隔；

形成一多晶硅层、一顶盖层与一缓冲层于该基底上，其中该宽度上方的该缓冲层具有一明显的凹陷处；

进行一大角度的氧离子植入，将氧离子布值于凹陷处以外的缓冲层，并进行一回火步骤将缓冲层氧化，以于该凹陷处以外形成一氧化缓冲层；

将未受氧化缓冲层覆盖的该顶盖层与缓冲层移除，以形成一开口结构；以及

定义一控制栅极的位置，并将控制栅极位置以外的氧化缓冲层、一顶盖层及多晶硅层移除，再将控制栅极上方的氧化缓冲层移除，以同时形成控制栅极与漏极接触位置。

2、根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中顶盖层的材质为氮化硅。

3、根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中缓冲层材质为多晶硅。

4、根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中开口结构自行对准一宽度间隔的中央位置。

5、根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中一宽度大于二宽度。

6、一种闪存的制造方法，其特征在于：其至少包括：

提供一基底，其中基底具有复数个浮置栅极，且这些浮置栅极之间分别以一宽度与二宽度相间隔；

形成一多晶硅层、一顶盖层与一缓冲层于该基底上，其中一宽度上方的缓冲层具有一明显的凹陷处；

形成一二顶盖层于该缓冲层上，并进行二顶盖层的回蚀刻，使凹陷处中残留二顶盖层，并将凹陷处以外的缓冲层氧化，以形成一氧化缓冲层；

将未受该氧化缓冲层覆盖的二顶盖层与缓冲层移除，以形成一开口结构；以及

定义一控制栅极的位置，并将该控制栅极位置以外的氧化缓冲层、一顶盖层及多晶硅层移除，再将该控制栅极上方的该氧化缓冲层移除，以同时形成一控制栅极与一漏极接触位置。

7、根据权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中顶盖层的材质为氮化硅。

8、根据权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中二顶盖层的材质为氮化硅。

9、根据权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中缓冲层材质为多晶硅。

10、根据权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中开口结构自行对准一宽度间隔的中央位置。

11、根据权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中该开口结构自行对准一宽度间隔的中央位置。

12、一种闪存的制造方法，其特征在于：其至少包括：

提供一基底，其中基底具有复数个浮置栅极，且这些浮置栅极之间分别以一宽度与二宽度相间隔；

形成一多晶硅层、一顶盖层及一缓冲层于该基底上，其中一宽度上方的该缓冲层具有一凹陷处，该凹陷处自行对准于漏极接触位置；

定义一控制栅极的位置，并将该控制栅极以外的缓冲层、顶盖层多晶硅层移除，以形成该控制栅极与源极/漏极接触。

13、根据权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中顶盖层的材质为氮化硅。

14、根据权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中缓冲层材质为多晶硅。

15、根据权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中一宽度大于二宽度。

16、根据权利要求12所述的闪存的制造方法，其特征在于：其中凹陷处定义为漏极接触位置的方式包括：

形成一二顶盖层于该缓冲层上；

进行该二顶盖层的回蚀刻步骤，使二顶盖层于该凹陷处中残留；

以凹陷处中的二顶盖层为罩幕，将缓冲层氧化，以形成一氧化缓冲层；以及

以氧化缓冲层为罩幕，将未受氧化缓冲层覆盖的二顶盖层与缓冲层移除，以形成一开口结构。