[发明专利]利用离子植入在介电层形成开口的方法无效
| 申请号： | 01110529.1 | 申请日： | 2001-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1379449A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨允魁;张逸明 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/316;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 离子 植入 介电层 形成 开口 方法 | ||
1、一种利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其包括下列步骤：
提供一基底；
形成一含离子介电层于该基底上；
形成一未含离子介电层于该含离子介电层上；
形成一罩幕层于未含离子介电层上，罩幕层包括第一开口，以暴露出部分未含离子介电层；
利用罩幕层，进行离子植入步骤，于第一开口下的未含离子介电层，形成离子植入区，离子植入区深度不超过该未含离子介电层的厚度；
利用罩幕层，进行化学气相蚀刻步骤，蚀刻该未含离子介电层的该离子植入区，形成第二开口；以及
利用罩幕层，进行干蚀刻步骤，蚀刻该第二开口下的剩余的未含离子介电层和含离子介电层，以暴露出部分的基底。
2、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中含离子介电层包括含硼的氧化层、含磷的氧化层、含硼磷的氧化层、及含离子的氧化层其中之一。
3、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中未含离子介电层包括氧化层。
4、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中离子植入步骤，包括植入硼、磷、砷、及半导体掺质其中之一。
5、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中化学蚀刻包括氟化氢气相蚀刻。
6、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中离子植入区深度至少为未含离子介电层厚度的百分之七十。
7、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中二开口区深度至少为该未含离子介电层厚度的百分之七十。
8、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中罩幕层包括光阻层。
9、根据权利要求1所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中包括，去罩幕层步骤于干蚀刻步骤之后。
10、一种利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：包括下列步骤：
提供一基底；
形成一未含离子介电层于该基底上；
形成一罩幕层于该未含离子介电层上，该罩幕层包括第一开口，以暴露出部分未含离子介电层；
利用罩幕层，进行一离子植入步骤，于第一开口下的未含离子介电层，形成离子植入区，离子植入区深度不超过该未含离子介电层厚度；
利用该罩幕层，进行化学气相蚀刻步骤，蚀刻该未含离子介电层的离子植入区，形成第二开口；以及
利用罩幕层，进行干蚀刻步骤，蚀刻第二开口下的剩余的未含离子介电层，以暴露出部分的该基底。
11、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中未含离子介电层包括氧化层。
12、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中离子植入步骤，包括植入硼、磷、砷、及半导体掺质其中之一。
13、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中化学蚀刻包括氟化氢气相蚀刻。
14、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中离子植入区深度至少为未含离子介电层厚度的百分之五十。
15、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中第二开口区深度至少为该未含离子介电层厚度的百分之五十。
16、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中罩幕层包括光阻层。
17、根据权利要求10所述的利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其中包括，去罩幕层步骤于干蚀刻步骤之后。
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