[发明专利]电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

权利要求书

1.一种电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：包括下列各项步骤：

提供一半导体基板，并于该半导体基板上形成一绝缘物，而该绝缘物具有鸟嘴状的一尖端；

蚀刻该半导体基板使之形成一U型凹槽，且该U型凹槽是紧邻该绝缘物的该尖端；

于该半导体基板中形成互为相隔的一对源/漏极区，且这些源/漏极区中之一者是包围该绝缘物的该尖端与该U型凹槽；以及

于这些源/漏极间的该半导体基板上方依序形成一栅极介电层、一浮置栅极、一栅间介电层、与一控制栅极。

2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：还包括蚀刻该半导体基板使成另一U型凹槽，其紧邻该绝缘物的另一尖端，且这些源/漏极区中的另一者是包围该绝缘物的该另一尖端与该另一U型凹槽。

3.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：在形成这些源/漏极区之后，还包括移除该绝缘物。

4.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：该栅极介电层的材质为硅氧化物。

5.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：该栅间介电层的材质为氧化层/氮化层/氧化层。

6.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：该半导体基板为晶格排列方向为(100)的硅基板。

7.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：其中该绝缘物为以硅的局部氧化法所形成的鸟嘴型硅氧化物。

8.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：该浮置栅极与该控制栅极是由多晶硅所构成。

9.一种电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：包括：

一半导体基板，其具有一U型凹槽；

一对源/漏极，互为相隔设置于该半导体基板中，且这些源/漏极中之一者是包围该U型凹槽；以及

一栅极介电层、一浮置栅极、一栅间介电层、与一控制栅极，是依序设置于这些源/漏极间的该半导体基板的上方。

10.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：该半导体基板还包括另一U型凹槽，且这些源/漏极区中的另一者是包围该另一U型凹槽。

11.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：在该半导体基板上还包括一鸟嘴状的尖端，分别紧邻这些U型凹槽。

12.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：该栅间介电层的材质为氧化层/氮化层/氧化层。

13.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：该半导体基板为晶格排列方向为(100)的硅基板。

14.如权利要求10所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：该半导体基板为晶格排列方向为(100)的硅基板。

15.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：该浮置栅极与该控制栅极是由多晶硅所构成。

16.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器单元，其特征是：该栅极介电层的材质为硅氧化物。