[发明专利]射频(RF)放大器电路

权利要求书

1.一种射频(RF)放大器电路，包括：

一金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，做为一放大器组件，该金属氧化物半导体场效晶体管被建构成一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管。

2.如权利要求1所述的电路，其中该金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)具有一源极区、一漏极区及一栅极，该源极区的宽度大于该漏极区的宽度。

3.如权利要求2所述的电路，其中该漏极区的宽度小到足以减小该金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的米勒效应(Miller effect)电容，且提供了一电容值落于0.02fF/μm与0.5fF/μm间的电容CGD。

4.如权利要求3所述的电路，其中该栅极以与该漏极区成45度角向源极区方向逐渐加宽。

5.如权利要求2所述的电路，其中该射频(RF)放大器是用以放大高于800MHz的信号。

6.如权利要求4所述的电路，其中该金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)包括多个并联的非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，以导通该射频(RF)放大器的驱动电流。

7.如权利要求6所述的电路，其中每一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的栅极以与漏极区成45度角向源极区方向逐渐加宽。

8.如权利要求6所述的电路，其中每一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的漏极区宽度小到足以减小该金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的米勒效应(Miller effect)电容，且提供了一电容值落于0.02fF/μm与0.5fF/μm间的电容C_GD。

9.如权利要求1所述的电路，其中该射频(RF)放大器是用以放大高于800MHz的信号，其中该非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)具有多个非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体，每一单体的源极区与漏极区的一与相邻的单体共享。

10.如权利要求9所述的电路，其中该等非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体并联。

11.如权利要求10所述的电路，其中每一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体的栅极以与漏极区成45度角向源极区方向逐渐加宽。

12.一种非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)装置，包括：

多个并联的非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体，每一单体具有一栅极、一源极区及一漏极区，每一单体的源极区与漏极区的一是与相邻的单体共享。

13.如权利要求12所述的装置，其中该源极区的宽度大于该漏极区的宽度。

14.如权利要求13所述的装置，其中该漏极区的宽度小到足以减小该金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的米勒效应(Millereffect)电容，且提供了一电容值落于0.02fF/μm与0.5fF/μm间的电容C_GD。

15.如权利要求12所述的电路，其中每一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体的栅极以与漏极区成45度角向源极区方向逐渐加宽。

16.如权利要求12所述的电路，其中该非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)装置的最大驱动电流等于每一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体的最大驱动电流和。

17.如权利要求12所述的电路，其中每一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)单体的源极区与漏极区的一是与相邻的单体共享。