[发明专利]半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件

权利要求书

1．一种制造半导体发光器件的方法，所述半导体发光器件在衬底上有半导体发光元件，所述方法包括下面的步骤：

使在所述衬底上形成的材料层构成图案，从而构成这样的凹槽图案，它有加宽部分和在所述加宽部分两侧的变窄部分，所述变窄部分的开口在宽度上比所述加宽部分的窄些；

在所述衬底上形成多层膜来覆盖所述凹槽图案，所述多层膜包括下复层，活性层和具有不同于所述下复层的导电类型的上复层，其中所述各层按上述顺序堆叠；

在所述多层膜上对应于所述凹槽图案的区域内形成电流注入层，以便所述电流注入层沿着所述凹槽图案的纵向伸展。

2．权利要求1的制造半导体发光器件的方法，其特征在于：

在以所述多层膜覆盖所述凹槽图案之前，去掉在所述凹槽图案的加宽部分内所暴露的所述衬底的表面，使其达到比所述变窄部分内的更深的深度。

3．权利要求1的制造半导体发光器件的方法，其特征在于：

构成所述凹槽图案的所述材料层包括多层膜，后者构成在所述衬底上形成的其它半导体发光元件。

4．一种在衬底上具有半导体发光元件的半导体发光器件，它包括：

多层膜图案，它包括下复层，活性层和具有不同于所述下复层的导电类型的上复层，其中所述各层按上述顺序堆叠；和

在所述多层膜图案上形成的电流注入层，所述电流注入层在所述多层膜图案的两边缘上伸展；其中

这样形成所述活性层，使得它的沿着所述电流注入层纵向的两端部部分薄于中心部分。

5．权利要求4的半导体发光器件，其特征在于：

在所述多层膜图案的宽度方向，所述多层膜图案两侧有凸出的图案，用于限制所述多层膜图案两边缘部分的宽度，所述宽度方向也就是大致垂直于所述电子注入层的纵向的方向。

6．权利要求5的半导体发光器件，其特征在于：

所述凸出的图案构成多层膜图案，所述多层膜图案构成在所述衬底上形成的其它半导体发光元件。

7．权利要求4的半导体发光器件，其特征在于：

使在所述多层膜图案下面的所述衬底的表面，在中心部分的高度，比沿所述电流注入层的纵向的两边缘部分的低。