[发明专利]薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件有效
申请号: | 01110972.6 | 申请日: | 2001-03-06 |
公开(公告)号: | CN1312584A | 公开(公告)日: | 2001-09-12 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;广木正明;石丸典子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L33/00;H05B33/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈霁,张志醒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 形成 器件 方法 发光 | ||
1.一种用于形成薄膜的方法,包括以下步骤:
提供其内装有EL材料的船形试样器皿,其上具有电极的衬底和在船形试样器皿与衬底之间的掩模,
使在所述船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态,
使所述呈蒸汽状态的EL材料从船形试样器皿中朝向衬底排出,以及
使所述呈蒸汽状态的EL材料通过对应于所述电极的掩模的开口,从而使EL材料淀积在所述衬底上的电极上,并形成薄膜。
2.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中对所述掩模施加电压。
3.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中当在船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态并所述呈蒸汽状态的EL材料从船形试样器皿朝向衬底被排出时,所述呈蒸汽状态的EL材料被充电。
4.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中在所述掩模中的开口是阻挡部分的间隙。
5.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中具有多个掩模,并对多个掩模中的各个掩模施加不同的电压。
6.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中所述电极是像素电极。
7.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中所述EL材料是低分子量材料。
8.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中所述薄膜的厚度是10nm到10微米。
9.如权利要求1所述的用于形成薄膜的方法,其中所述掩模是由导电材料制成的导线,由所述导线形成的网状结构,由导电材料制成的板状结构,或者相互平行排列的多个导线。
10.一种使用如权利要求1所述的方法制造的自发光器件。
11.一种薄膜形成装置,包括:
其中装有EL材料的船形试样器皿;
用于使在所述船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态的装置;
其上具有电极的衬底;
在所述船形试样器皿和所述衬底之间的掩模;
以及
对所述掩模施加电压的装置。
12.如权利要求11所述的薄膜形成装置,其中呈蒸汽状态的EL材料的行进方向或淀积位置通过对掩模施加电压进行控制。
13.如权利要求11所述的薄膜形成装置,还包括用于对所述呈蒸汽状态的EL材料充电的装置。
14.如权利要求11所述的薄膜形成装置,还包括被提供在衬底和掩模之间的另一个掩模,并对所述另一个掩模施加一个和被施加于所述掩模的电压不同的电压。
15.一种用于形成薄膜的方法,包括以下步骤:
提供其内装有EL材料的船形试样器皿,其上具有电极的衬底和在船形试样器皿与衬底之间的掩模,
使在所述船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态,
使所述呈蒸汽状态的EL材料从船形试样器皿中朝向衬底排出,
使所述呈蒸汽状态的EL材料通过对应于所述电极的掩模的开口,从而使所述EL材料淀积在所述衬底上的电极上,并形成薄膜,以及
其中对所述掩模施加电压。
16.一种用于形成薄膜的方法,包括以下步骤:
提供其内装有EL材料的船形试样器皿,其上具有电极的衬底和在船形试样器皿与衬底之间的掩模,
使在所述船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态,
使所述呈蒸汽状态的EL材料从船形试样器皿中朝向衬底排出,
使所述呈蒸汽状态的EL材料通过对应于所述电极的掩模的开口,从而使所述EL材料淀积在所述衬底上的电极上,并形成薄膜,以及
其中对所述呈蒸汽状态的EL材料充电。
17.一种薄膜形成装置,包括:
其中装有EL材料的船形试样器皿;
用于使在所述船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态的装置;
其上具有电极的衬底;
在所述船形试样器皿和所述衬底之间的掩模;
对所述掩模施加电压的装置;以及
用于对所述呈蒸汽状态的EL材料充电的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造