[发明专利]自旋阀磁电阻头的制造方法

权利要求书

1.一种制造自旋阀磁电阻头的方法，包括步骤：

在底基层上顺序形成第一反铁磁层、第一磁化钉扎层、第一非磁性中间层和第一磁化自由层；

在所述的第一磁化自由层上形成非磁性绝缘层；

在所述的非磁性绝缘层上顺序形成第二磁化自由层、第二非磁性中间层、第二磁化钉扎层和第二反铁磁层；和

对所述的第一反铁磁层、所述的第一磁化钉扎层、所述的第一非磁性中间层、所述的第一磁化自由层、所述的非磁性绝缘层、所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层、所述的第二磁化钉扎层和所述的反铁磁层制作图形；

从而由所述的第一反铁磁层到所述的第一磁化自由层组成第一自旋阀器件而所述的第二磁化自由层到所述的第二反铁磁层组成第二自旋阀器件。

2.根据权利要求1所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，其中所述的第一反铁磁层和所述的第二反铁磁层中的至少一层是用导电材料形成。

3.根据权利要求1所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，包括另外的步骤：

在第一方向上施加磁场和并以第一温度加热，在真空状态中形成所述的第一磁化钉扎层和所述的第一反铁磁层；和

在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁场并以比所述的第一温度低的第二温度加热，用具有比所述的第一反铁磁层的材料的阻塞温度低的阻塞温度的材料制成所述的第二磁化钉扎层和所述的第二反铁磁层。

4.根据权利要求1所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，包括另外的步骤：

在形成所述的第一磁化自由层、所述的第一非磁性中间层和所述的第一磁化钉扎层以后，以第一温度并在第一方向上施加磁场进行热处理，以磁化所述的第一磁化钉扎层；和

在形成所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层和所述的第二磁化钉扎层以后，以低于所述的第一温度的第二温度并在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁场进行热处理以磁化所述的第二磁化钉扎层。

5.根据权利要求1所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，包括在用具有高阻塞温度的第一材料形成所述的第一反铁磁层和用具有低阻塞温度的第二材料形成所述的第二反铁磁层以后的另外步骤：

在第一方向上施加第一磁场并以第一温度加热形成的结构，以产生第一反铁磁层的交换耦合；和

在不同于所述的第一方向的第二方向上施加第二磁场并以低于所述的第一温度的第二温度加热所形成的结构，以产生第二反铁磁层的交换耦合。

6.根据权利要求1所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，其中用第一硬磁层取代所述的第一反铁磁层而用第二硬磁层取代所述的第二反铁磁层。

7.根据权利要求6所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，其中用矫顽磁力比所述的第二硬磁层的材料的矫顽磁力高的材料制成所述的第一硬磁层，并用比磁化所述的第二硬磁层所使用的磁场弱的磁场磁化所述的第一硬磁层。

8.一种制造自旋阀磁电阻头的方法，包括步骤：

顺序形成第一磁化自由层、第一非磁性中间层、第一磁化钉扎层和第一反铁磁层；

在所述的第一反铁磁层上形成非磁性绝缘层；

在所述的非磁性绝缘层上顺序形成第二反铁磁层、第二磁化钉扎层、第二非磁性中间层和第二磁化自由层；和

对所述的第一磁化自由层、所述的第一非磁性中间层、所述的第一磁化钉扎层、所述的第一反铁磁层、所述的非磁性绝缘层、所述的第二反铁磁层、所述的第二磁化钉扎层、所述的第二非磁性中间层和所述的第二磁化自由层制作图形；

由此所述的第一磁化自由层到所述的第一反铁磁层组成第一自旋阀器件而所述的第二反铁磁层到所述的第二磁化自由层组成第二自旋阀器件。

9.根据权利要求8所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，其中所述的第一反铁磁层和所述的第二反铁磁层中的至少一层是用导电材料制成。

10.根据权利要求8所述的制造自旋阀磁电阻头的方法，包括另外的步骤：

在第一方向上施加磁场并以第一温度加热，在真空状态中形成所述的第一磁化钉扎层和所述的第一反铁磁层；和

在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁场并以比所述的第一温度低的第二温度加热，用阻塞温度比所述的第一反铁磁层的材料的阻塞温度低的材料制成所述的第二磁化钉扎层和所述的第二反铁磁层。