[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，具有：从在第1导电型的半导体层上形成的第1栅氧化膜横跨到比上述第1栅氧化膜膜厚厚的第2栅氧化膜上而形成的栅电极；与该栅电极邻接而形成的第2导电型的源区；在与上述栅电极隔开的位置形成的第2导电型的漏区；以及包围该漏区而形成的第2导电型的漂移区，其特征是：

与上述漏区邻接地形成了第2导电型杂质层。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是，上述第2导电型杂质层形成为至少从上述漏区的一个端部与上述栅电极的一个端部邻接。

3、根据权利要求2所述的半导体装置，其特征是，上述第2导电型杂质层形成在上述漂移区表面的上述漏区端与栅电极端之间。

4、一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有：

向第1导电型的半导体层内注入第2导电型杂质离子，形成第2导电型层的工序；

在上述半导体层上的规定区域上形成耐氧化性膜的工序；

在包括上述耐氧化性膜的上述半导体层上的规定区域上形成抗蚀剂膜的工序；

以上述耐氧化性膜和上述抗蚀剂膜为掩模，进行第2导电型杂质的离子注入，在上述半导体层上的规定区域中形成离子注入层的工序；

除去上述抗蚀剂膜后，以上述耐氧化性膜为掩模对半导体层进行LOCOS氧化，形成作为第2栅氧化膜和元件隔离膜的选择性氧化膜，同时使上述离子注入层扩散以形成第2导电型杂质层的工序；

以上述选择性氧化膜为掩模，在上述半导体层上进行热氧化，形成第1栅氧化膜的工序；

以从上述第1栅氧化膜横跨到第2栅氧化膜上的方式形成栅电极的工序；以及

以上述栅电极和上述选择性氧化膜为掩模注入第2导电型杂质的离子，与上述栅电极邻接地形成第2导电型的源区，同时在与上述栅电极隔开的位置上形成第2导电型的漏区的工序。

5、根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征是，上述第2导电型杂质层的形成工序是与元件隔离膜下形成的沟道截断层形成工序为同一的工序。

6、根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征是，上述第2导电型杂质的形成工序包括离子注入工序和扩散工序。

7、一种半导体装置，具有：在第1导电型的半导体层上经栅氧化膜形成的栅电极；与该栅电极邻接地形成的第2导电型的高浓度源区；在与上述栅电极隔开的位置上形成的第2导电型的高浓度漏区；以及包围该漏区而形成的第2导电型的漂移区，其特征是，

以包围上述高浓度漏区的附近的方式形成了具有浓度比该漏区的浓度低且比上述漂移区的浓度高的第2导电型杂质层。

8、根据权利要求1所述的半导体装置，具有：从在第1导电型的半导体层上形成的第1栅氧化膜横跨到膜厚比上述第1栅绝缘膜的膜厚大的第2栅氧化膜上而形成的栅电极；与该栅电极邻接而形成的第2导电型的源区；在与上述栅电极隔开的位置形成的第2导电型漏区；以包围该漏区而形成的第2导电型的漂移区，其特征是，

以包围上述高浓度漏区的附近的方式形成具有浓度比该漏区的浓度低且比上述漂移区的浓度高的第2导电型杂质层。

9、根据权利要求8所述的半导体装置，其特征是，将上述第2导电型杂质层形成为从至少上述漏区的一端部与上述栅电极的一端部邻接。

10、根据权利要求8所述的半导体装置，其特征是，将上述第2导电型杂质层形成为大致一样的深度，使其经上述第1栅氧化膜与上述栅电极的一端邻接并包围上述漏区的附近。

11、一种半导体装置的制造方法，具有在第1导电型的半导体层上经栅氧化膜形成栅电极的工序；与该栅电极邻接地形成第2导电型的高浓度源区，同时在与上述栅电极隔开的位置形成第2导电型的高浓度漏区的工序；以及包围该漏区而形成第2导电型的漂移区的工序，其特征是，具备：

以包围上述高浓度漏区的附近的方式，形成具有浓度比该漏区的浓度低且比上述漂移区的浓度高的第2导电型杂质层的工序。