[发明专利]磁阻装置和利用磁阻装置的磁性存储器

权利要求书

1．一种磁阻装置，包括一个第一磁性层，一个非磁性层，和一个第二磁性层，非磁性层插在第一和第二磁性层之间，第一和第二磁性层具有垂直的磁各向异性，其特征在于：

磁阻装置具有的结构使得可以对其记录磁化信息，并且记录的磁化信息稳定地保持在其中。

2．如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于第一磁性层或第二磁性层由一种补偿点处于室温附近的铁磁体制成。

3．如权利要求2所述的磁阻装置，其特征在于非磁性层由绝缘体制成。

4．如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于第一磁性层由具有低矫顽力和垂直磁各向异性的铁磁体制成，第二磁性层由具有高矫顽力和垂直磁各向异性的铁磁体制成，并且形成第二磁性层的铁磁体是一种稀土金属-过渡金属非晶合金，具有较小的饱和磁化效应。

5．如权利要求1所述的磁阻装置，其特征在于第一磁性层由一种铁磁体制成，铁磁体具有的矫顽力低至足以允许第一磁性层反磁化，铁磁体具有的磁各向异性的能量高至足以维持第一磁性层的垂直磁各向异性。

6．如权利要求5所述的磁阻装置，其特征在于第一磁性层由至少包括一种轻稀土金属的稀土金属和过渡金属的非晶合金组成。

7．如权利要求5所述的磁阻装置，其特征在于第二磁性层由一种具有高矫顽力和低饱和磁化强度的铁磁体形成。

8．如权利要求7所述的磁阻装置，其特征在于第二磁性层由至少包括一种重稀土金属的稀土金属和过渡金属的非晶合金组成。

9．如权利要求5所述的磁阻装置，其特征在于第二磁性层由一种补偿点处于室温附近的铁磁体制成。

10．如权利要求5所述的磁阻装置，其特征在于非磁性层由一种绝缘体制成。

11．如权利要求1所述的磁阻装置，磁阻装置还包括一个具有垂直磁各向异性的第三磁性层和一个插在第二和第三磁性层之间的第二非磁性层，其中第二磁性层由一种铁磁体制成，铁磁体具有的矫顽力低至足以允许第二磁性层反磁化，铁磁体具有的磁各向异性的能量高至足以维持第二磁性层的垂直磁各向异性。

12．一种利用权利要求1所述的磁阻装置作为存储单元的磁性存储器。

13．如权利要求12所述的磁性存储器，其特征在于磁阻装置的不是第一磁性层就是第二磁性层由一种铁磁体制成，铁磁体在室温附近有一个补偿点。

14．如权利要求12所述的磁性存储器，其特征在于每个磁阻装置的第一磁性层由一种铁磁体制成，铁磁体具有的矫顽力低至足以允许第一磁性层反磁化，铁磁体具有的磁各向异性的能量高至足以维持第一磁性层的垂直磁各向异性。

15．如权利要求12所述的磁性存储器，其特征在于每个磁阻装置还包括一个具有垂直磁各向异性的第三磁性层和一个插在第二和第三磁性层之间的第二非磁性层，其特征在于第二磁性层由一种铁磁体制成，铁磁体具有的矫顽力低至足以允许第二磁性层反磁化，铁磁体具有的磁各向异性的能量高至足以维持第二磁性层的垂直磁各向异性。

16．一种利用磁阻装置的磁性存储器，每个磁阻装置具有一个第一磁性层，一个非磁性层，一个第二磁性层，非磁性层插在第一和第二磁性层之间，第一磁性层和第二磁性层具有垂直磁各向异性，其特征在于：

把用于向磁阻装置记录信息的电流线设置在高于和低于磁阻装置位于的平面的平面中。

17．如权利要求16所述的磁性存储器，其特征在于电流线位于磁阻装置的正上下方。

18．如权利要求16所述的磁性存储器，其特征在于电流线位于相邻的磁阻装置之间的位置上。

19．如权利要求16所述的磁性存储器，其特征在于在每个电流线上设置一个高导磁材料层。

20．如权利要求16所述的磁性存储器，其特征在于磁阻装置布置成矩阵形状，上平面中的电流线在与下平面中电流线的延伸方向交叉的方向上延伸。