[发明专利]具有双极型晶体管的高频功率放大器

权利要求书

1．一种高频功率放大器，该高频功率放大器包括：

多个晶体管块，各所述晶体管块具有双极型晶体管；

其中各所述晶体管块进一步包括：

基准电压产生电路，用于产生作为所述双极型晶体管基极偏置的基准电压； 

偏置产生电路，被连接到所述双极型晶体管的基极，所述偏置产生电路通过转换所述基准电压产生基极偏置电压；以及

电容器，用于进行高频输入，所述电容器被连接到所述双极型晶体管的基极。

2．根据权利要求1所述的高频功率放大器，其中各所述晶体管块进一步包括与所述双极型晶体管的发射极相连的电阻。

3．根据权利要求1所述的高频功率放大器，

其中所述偏置产生电路进一步包括的组成部分包括，在用于将作为所述双极型晶体管的基极偏置的所述基准电压转换到低阻抗的电路与所述双极型晶体管的基极端之间设置的电阻，设置基极端用于阻止高频。

4．根据权利要求1所述的高频功率放大器，

其中所述偏置产生电路进一步包括的组成部分包括：

第二双极型晶体管，基极被连接到基极偏置基准电压而集电极被连接到DC电源；以及

电阻，设置到所述第二双极型晶体管的发射极与所述双极型晶体管的基极端之间，所设置的电阻用于阻止高频。

5．根据权利要求1所述的高频功率放大器，

其中所述基准电压产生电路具有承受直流偏置的二极管，并根据温度变化将基极偏置电压施加到各所述晶体管块。

6．根据权利要求1所述的高频功率放大器，

其中承受直流偏置的二极管与所述双极型晶体管相邻。

7．根据权利要求1所述的高频功率放大器，

其中用于高频输入的所述电容器为与所述双极型晶体管的基极端连接点和所述电阻相连的金属绝缘体金属电容器。

8．根据权利要求7所述的高频功率放大器，

其中所述金属绝缘体金属电容器被连接到高频电源。

9．根据权利要求1所述的高频功率放大器，

其中在各所述晶体管块内设置由发射极输出器电路构成的所述偏置产生电路，并将作为基极偏置的基准电压施加到发射极输出器电路的基极输入端。

10．一种高频功率放大器，该高频功率放大器包括：

多个晶体管块，各所述晶体管块具有双极型晶体管；以及

基准电压产生电路，用于产生作为所述双极型晶体管基极偏置的基准电压；

其中各所述晶体管块进一步包括：

偏置产生电路，被连接到所述双极型晶体管的基极，所述偏置产生电路通过转换所述基准电压产生基极偏置电压；以及

电容器，用于进行高频输入，所述电容器被连接到所述双极型晶体管的基极。

11．根据权利要求10所述的高频功率放大器，

其中各所述双极型晶体管块进一步包括与所述双极型晶体管的发射极相连的电阻。

12．根据权利要求10所述的高频功率放大器，

其中所述偏置产生电路进一步包括：

第二双极型晶体管，基极被连接到作为基极偏置的基准电压而集电极被连接到DC电源；以及

电阻，设置到所述第二双极型晶体管的发射极与所述双极型晶体管的基极端之间，所设置的所述电阻用于阻止高频。

13．根据权利要求10所述的高频功率放大器，

其中所述基准电压产生电路包括承受直流偏置的二极管，并根据温度变化将基极偏置电压施加到所述晶体管块

14．根据权利要求10所述的高频功率放大器，

其中承受直流偏置的所述二极管与所述双极型晶体管相邻。

15．根据权利要求10所述的高频功率放大器，

其中用于高频输入的所述电容器为与所述双极型晶体管的基极端连接点和所述电阻相连的金属绝缘体金属电容器。

16．根据权利要求15所述的高频功率放大器，

其中所述金属绝缘体金属电容器被连接点高频电源。

17．根据权利要求10所述的高频功率放大器，

其中将由发射极输出器电路构成的所述偏置产生电路设置到各所述晶体管块，并且将作为基极偏置的基准电压施加到发射极输出器电路的基极输入端。