[发明专利]多层布线构造的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：

在半导体衬底上边选择性形成布线的工序；

在整个面上形成第1层间膜的工序；

在上述第1层间膜上边形成第1反射防止膜的工序；

在上述第1反射防止膜上边形成第1光刻胶膜的工序；

使上述第1光刻胶膜图形化，以该图形化的第1光刻胶膜为掩模，除去上述第1反射防止膜和上述第1层间膜，形成使上述布线的表面露出来的接触孔的工序；

除去上述第1光刻胶膜的工序；

在整个面上形成第2反射防止膜，把上述接触孔的至少底面埋入进去的工序；

在上述第2反射防止膜上边形成第2光刻胶膜的工序；

把上述第2光刻胶膜图形化为使得在上述接触孔上边剩下上述第2光刻胶膜的工序；

以上述图形化的第2光刻胶膜为掩模，除去上述第2反射防止膜，使上述第1层间膜的表面露出来的工序；

在整个面上形成第2层间膜，把上述图形化的第2光刻胶膜和上述第2反射防止膜覆盖起来的工序；

除去上述第2层间膜，使上述图形化的第2光刻胶膜的至少整个上表面都露出来的工序；

除去上述图形化的第2光刻胶膜和上述第2反射防止膜，在上述第2层间膜内形成沟槽的工序。

2．权利要求1所述的半导体装置的制造方法，上述第2层间膜是SOG膜。

3．权利要求1所述的半导体装置的制造方法，上述第2层间膜是介电系数比上述第1层间膜还低的膜。

4．权利要求1所述的半导体装置的制造方法，上述第2层间膜是涂敷式的膜。

5．权利要求1所述的半导体装置的制造方法，上述第1、第2反射防止膜是有机膜。

6．一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：

在半导体衬底上边选择性形成布线的工序；

在整个面上形成第1层间膜的工序；

在上述第1层间膜上边形成第1反射防止膜的工序；

在上述第1反射防止膜上边形成第1光刻胶膜的工序；

使上述第1光刻胶膜图形化，以该图形化的第1光刻胶膜为掩模，除去上述第1反射防止膜和上述第1层间膜，形成使上述布线的表面露出来的接触孔的工序；

除去上述第1光刻胶膜的工序；

在整个面上形成第2反射防止膜的下层膜，把上述接触孔埋入进去的工序；

在上述第2反射防止膜的下层膜上边形成第2反射防止膜的上层膜的工序；

在上述第2反射防止膜的上层膜上边形成第2光刻胶膜的工序；

把上述第2光刻胶膜图形化为使得在上述接触孔上边剩下上述第2光刻胶膜的工序；

以上述图形化的第2光刻胶膜为掩模，使上述第2反射防止膜的上层膜图形化的工序；

以上述图形化的第2反射防止膜的上层膜为掩模，使上述第2反射防止膜的下层膜图形化，使上述第1层间膜的表面露出来的工序；

在整个面上形成第2层间膜，把上述第2反射防止膜的上层膜和下层膜覆盖起来的工序；

除去上述第2层间膜和上述第2反射防止膜，使上述第2反射防止膜的下层膜的至少上表面完全露出来的工序；

除去上述第2反射防止膜的下层膜，在上述第2层间膜内形成沟槽的工序。

7．权利要求6所述的半导体装置的制造方法，上述第2层间膜和上述第2反射防止膜的上层膜是SOG膜。

8．权利要求6所述的半导体装置的制造方法，上述第2层间膜是介电系数比上述第1层间膜还低的膜。

9．权利要求6所述的半导体装置的制造方法，上述第2层间膜是涂敷式的膜。

10．权利要求6所述的半导体装置的制造方法，上述第1反射防止膜和上述第2反射防止膜的下层膜是有机膜。

11．权利要求6所述的半导体装置的制造方法，上述第2反射防止膜的上层膜及下层膜的图形化，以上述图形化的第2光刻胶膜为掩模一揽子地进行。

12．权利要求6所述的半导体装置的制造方法，在残存有上述第2光刻胶膜的状态下形成上述第2层间膜，

使上述第2反射防止膜的下层膜的至少整个上表面露出来的工序中，在除去上述第2层间膜和上述第2反射防止膜的上层膜的同时，除去上述第2光刻胶膜。