[发明专利]斜切底材上的半导体发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，它至少包括：

一金属接触底座；

一第一导电型GaAs底材，它在所述金属接触底座上面，所述底材沿<111>A角度斜切，所述斜切角度大于10°；

一所述第一导电型InGaAlP层，它位于所述底材上面；

一主动层，它位于所述第一导电型InGaAlP层上面，所述主动层无原子次序；

一第二导电型InGaAlP层，它位于所述主动层上面，其电性与所述第一导电型InGaAlP层相反；

一窗户层，它位于所述第二导电型InGaAlP层上面；以及

一金属接触顶座，它位于所述窗户层上面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括一GaAs缓冲层，它介于所述底材与所述第一导电型InGaAlP层之间。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述缓冲层的厚度在0.2至0.5μm之间。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括一光反射层，它位于所述底材上，所述光反射层的渗杂浓度大于2*10¹⁷/cm²。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述光反射层有一反射波长α，它接近所述主动区域的波长β(α＝β-5nm或α＝β+5nm)且载子电性与所述底材相同。

6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述光反射层是选自于由AlAs/Al_x1Ga_1-x1As-底材(x1≥0.5)，In_0.5(Ga_1-x2Al_x2)_0.5P-底材(x2≥0.1)与AlAs/In_0.5(Ga_1-x2Al_x2)_0.5P-的族群底材的超晶格结构所组成。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述铝的组成x1与x2在发射光波长大于630nm，x1小于0.6且x2大于0.1；在发射光波长大于590nm，x1小于0.7且x2大于0.2；在发射光波长大于570nm，x1小于0.8且x2大于0.3。

8.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述光反射层是选自于由AlAs/Al_xGa_1-xAs-底材In_0.5(Ga_1-xAl_x)_0.5P-底材，与AlAs/In_0.5(Ga_1-xAl_x)_0.5P-的族群超晶结构所组成，所述超晶结构每一层与层间的反射系数差值不小于0.15。

9.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述光线反射层与所述底材的晶格不匹配度小于0.3％。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电型InGaAlP层渗杂浓度在0.4*10¹⁸/cm²到1*10¹⁸/cm²之间。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述渗杂剖面至少包括一低/高渗杂浓度比率：0.1至0.5之间。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述主动层至少包括一应变的In_y(Ga_1-x1Al_x1)_1-yP/In_0.5(Ga_1-x2Al_x2)_0.5P多重量子井结构，所述多重量子井结构具有一In_y(Ga_1-x1Al_x1)_1-yP<001>晶格常数，它比所述斜切底材GaAs<001>的晶格常数大0.2％到0.6％之间。