[发明专利]叠层陶瓷电容器及其制造方法有效
申请号: | 01112076.2 | 申请日: | 2001-03-27 |
公开(公告)号: | CN1320936A | 公开(公告)日: | 2001-11-07 |
发明(设计)人: | 茶园広一;静野寿光;岸弘志 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 魏金玺,杨丽琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种叠层陶瓷电容器,其特征在于:该电容器由多数电介质层和多数内部电极交互叠层,并形成与该多数的内部电极相连接的一对外部电极构成,该电介质层由电介质瓷体构成,该电介质瓷体由陶瓷粒子和连结该陶瓷粒子的玻璃构成,在该玻璃中含有选自Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu和Co中的1种或2种以上的添加物元素。
2.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:含于所述电介质瓷体中的所述添加物元素是0.01~1.0摩尔%。
3.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:所述玻璃是在陶瓷粒子间的晶粒间界部分将陶瓷粒子被覆的状态下存在。
4.根据权利要求3所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:以器械分析值计,含于上述电介质瓷体中的所述添加物元素中有20wt%以上存在于所述晶粒间界部分。
5.根据权利要求2所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:所述添加物元素在所述晶粒间界部分的所述玻璃中固溶。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:所述电介质层由钛酸钡系电介质瓷体或钛酸锶系电介质瓷体形成。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:在所述电介质瓷体中含有选自Sc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的1种或2种以上的稀土元素。
8.根据权利要求7所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:所述稀土元素在所述玻璃中固溶,在所述玻璃中固溶的所述稀土元素在2.0摩尔%以下。
9.根据权利要求1~5中任一项所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:所述玻璃由以Li2O-SiO2-MO或B2O3-SiO2-MO作为主成分构成的,其中,MO是选自BaO、SrO、CaO、MgO和ZnO中的1种或2种以上的金属氧化物。
10.根据权利要求1~5中任一项所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:在所述玻璃中含有结晶质的二次相。
11.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器,其特征在于:所述玻璃由具有耐还原性的组合物构成,内部电极由贱金属构成。
12.一种叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于,该方法具有以下工序:配制陶瓷原料的原料配制工序;使用在该原料配制工序中得到的陶瓷原料形成坯片的坯片形成工序;在该坯片形成工序中制得的陶瓷坯片上印刷内部电极图形的印刷工序;将经过了该印刷工序的陶瓷坯片叠层而得到叠层体的叠层工序;将在该叠层工序中制得的叠层体按每个内部电极图形切断而得到片状叠层体的切断工序;将在该切断工序中制得的片状叠层体烧成的烧成工序,所述陶瓷原料含有玻璃,该玻璃含有选自Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu和Co中的1种或2种以上的添加物元素。
13.根据权利要求12所述的叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于:含于所述陶瓷原料中的所述添加物元素是0.01~1.0摩尔%。
14.根据权利要求12所述的叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于:所述陶瓷原料是钛酸钡系的陶瓷原料或钛酸锶系的陶瓷原料。
15.根据权利要求12~14中任一项所述的叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于:在所述陶瓷原料中含有选自Sc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的1种或2种以上的稀土元素的化合物。
16.根据权利要求15所述的叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于:所述稀土元素在所述玻璃中固溶,在所述玻璃中固溶的所述稀土元素是2.0摩尔%以下。
17.根据权利要求12所述的叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于:所述玻璃是由以Li2O-SiO2-MO或B2O3-SiO2-MO作为主成分的物质构成,其中,MO是选自BaO、SrO、CaO、MgO和ZnO中的1种或2种以上的金属氧化物。
18.根据权利要求12所述叠层陶瓷电容器的制造方法,其特征在于:所述烧成工序具有将所述片状叠层体在非氧化性气氛气中烧成后,再在氧化性气氛气中烧成的再氧化工序。
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