[发明专利]多波长面发射激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种发射具有第一波长的光和第二波长的光的多波长面发射激光器，它包括：

一个衬底；

一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，它直接形成在衬底上表面的一部分上，并包括一个通过交替淀积两种具有相同类型的杂质但折射率不同的半导体材料而形成的一个第一下反射器、一个第一活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第一下反射器的相反的半导体材料层形成的第一上反射器；

一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，它直接形成在衬底上表面邻近第一面发射激光器的部分上，并包括通过交替淀积两个具有不同折射率和相同类型杂质的半导体层而形成的第二下反射器、一个第二活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第二下反射器的相反的半导体材料层形成的第二上反射器；和

分别形成在衬底的一个表面及第一、第二上反射器上的用于供电的一个下电极层及第一、第二上电极。

2.如权利要求1所述的激光器，还包括分别部分地形成在第一和第二上反射器中用于限制电流流动的第一和第二高阻部分。

3.一种制造多波长面发射激光器的方法，包括步骤：

通过在预备的衬底上顺序淀积第一下反射器、第一活性层和第一上反射器形成一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，其中第一下反射器通过交替淀积两个有相同杂质类型但不同折射率的半导体材料层而形成，第一上反射器通过交替淀积两个有与第一下反射器相反的杂质类型及不同折射率的半导体材料层而形成；

通过蚀刻部分地去除第一上反射器、第一活性层和第一下反射层；

在第一面发射激光器的外表面上形成一个保护膜；

通过在衬底和保护膜上顺序淀积第二下反射器、第二活性层和第二上反射器形成一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，其中第二下反射器通过交替淀积两个具有相同的杂质类型但不同折射率的半导体材料层而形成，第二上反射器通过交替淀积两个具有与第二下反射器杂质类型相反和不同折射率的半导体材料层而形成；

通过蚀刻去除形成在保护膜上的第二下反射器、第二活性层和第二上反射层；和

除去保护膜，并分别在第一和第二上反射层的上表面上形成第一和第二上电极，在衬底的底面上形成一个下电极。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于保护膜由一种从包括氮化硅和氧化硅的组中选择出的材料形成。

5.如权利要求3所述的方法，还包括在形成第一和第二上电极之前通过在部分的第一和第二反射器中注入质子而形成第一和第二高阻部分的步骤。