[发明专利]反向短沟道效应的减少

权利要求书

1．一种在制造半导体器件的方法中的改进，该半导体器件具有在半导体基片上形成的栅极和在半导体基片中形成的扩散区，该改进包括：

将中性掺杂剂覆盖式注入到所说的半导体基片中，其能量剂量足以将所说的中性掺杂剂注入到其深度大于所说的扩散区的深度。

2．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的注入步骤包括在形成所说的扩散区之前注入所说的锗。

3．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的注入步骤包括在形成所说的栅极之前注入所说的锗。

4．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的注入步骤包括以这样的剂量注入锗，该剂量在所说的步骤的加热阶段足以防止在所说的半导体基片中在所说的各扩散区之间相对于所说各扩散区中的掺杂剂而言的掺杂剂过扩散。

5．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的半导体器件是FET。

6．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的各扩散区是源漏扩散区。

7．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的栅极是多晶硅。

8．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的半导体基片是硅。

9．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的锗被注入到所说的半导体基片中以形成从约0.10到约0.50微米深的峰值浓缩区。

10．权利要求9的方法，其特征在于其中所说的锗被注入到所说的半导体基片中以形成从约0.15到约0.30微米深的峰值浓缩区。

11．权利要求10的方法，其特征在于其中所说的锗被注入到所说的半导体基片中以形成从约0.20到约0.25微米深的峰值浓缩区。

12．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的锗被注入到使其峰值浓度为约10¹⁹到10²¹个锗离子cm^-3。

13．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的锗被注入到使其峰值浓度为约10²⁰个锗离子cm^-3。

14．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的注入是在形成所说的栅极以后进行的。

15．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是锗，所说的注入是在形成所说的扩散区后进行的。

16．权利要求1的方法，其特征在于其中所说的中性掺杂剂是硅。

17．一种半导体器件，包括：

一个半导体基片；

布置在所说基片上的第一扩散区；

布置在所说基片上的第二扩散区；

布置在所说的第一扩散区和所说的第二扩散区之间的沟道区；

布置在所说的半导体基片上在所说的沟道区之上并与所说的第一扩散区和所说的第二扩散区重叠的栅极氧化物；

布置在所说的栅极氧化物上的栅电极；以及

布置在整个所说的基片上的中性掺杂剂扩散注入区，所说的中性掺杂剂扩散注入区具有在所说的第一扩散区和所说的第二扩散区之下的峰值浓缩区。

18．权利要求17的器件，其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗，且所说的半导体器件是FET。

19．权利要求17的器件，其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗，且所说的第一扩散区和所说的第二扩散区是源极和漏极扩散区。

20．权利要求17的器件，其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗，且所说的栅极是多晶硅。

21．权利要求17的器件，其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗，且所说的半导体基片是硅。

22．权利要求17的器件，其特征在于其中所说的中性掺杂剂扩散注入区是锗，且所说的锗扩散注入区的峰值浓缩区为从约0.10到约0.50微米深。