[发明专利]振荡电路

说明书

本发明涉及振荡电路，具体地说，涉及用于改进了例如在PLL(锁相环)型图像检波电路中进行图像检波的、特别是VCO(电压控制振荡器)自激(free run)频率特性的图像信号接收装置等的振荡电路。

在上述特性检波电路中，使用了为进行图像检波而对输入信号进行锁定(lock)的VCO电路。该VCO电路使用了外加自激频率的共振电路51(图4中示出的可变线圈L1和电容器C1)，对IF频率(例如，按美国标准为45.75MHz)进行了调整来使用。上述共振电路51从IC内部(OSC)52经由连接到IC端子上用的键合焊区(bonding pad)53与引线框(图示省略)的IC引脚54连接。此外，上述共振电路也可由集成电路的内部元件(在图4中用点线示出的电容器C2)和外加的上述可变线圈L1来构成，以代替外加的上述电容器C1。

但是，在图像检波用VCO中，虽然利用共振电路51来决定自激频率，用APC(自动相位控制)电路进行PLL工作，对输入频率进行锁定，但在IC电源接通时，键合焊区53下的岛的电位发生变化，故键合焊区的浮游电容发生变化，VCO的自激频率发生漂移。在利用APC电压的对于频率的变化来形成AFT(自动频率调谐)电压的情况下，该漂移作为AFT电压的漂移而呈现出来。由于AFT的灵敏度非常高，故中心电压因该漂移而发生偏移。

因此，在以可变方式调整VCO线圈以使AFT电压成为所希望的电压时，如果存在IC电源接通时的漂移，则不能准确地调整VCO的振荡频率，在调整方面很费时。

以下，如果一边参照图5中示出的键合焊区的结构的剖面图，一边说明其原因，则虽然在P型的半导体衬底61内形成的岛(以下，称为N型的外延层62)上存在IC键合焊区63，但该焊区下的外延层62处于电位浮置(floating)状态。

而且，键合焊区63是金属层，在上述外延层62与经氧化膜64形成的1层金属63A之间形成MOS电容Cm，在上述(N型的)外延层62与(P型的)衬底61间形成结电容Cj。(参照图5和图6)。这些寄生电容的电容值随上述外延层62与衬底61间的电位差而变化。

在上述焊区63下的外延层62处于浮置状态的情况下，在对该焊区63施加了电压时，在焊区63与外延层62之间和外延层62与衬底61之间形成由MOS电容Cm和结电容Cj决定的电位差，从外延层62对芯片的衬底61发生微小的漏泄电流(暗电流)，在外延层62的电位稳定到与衬底61相同的电位之前，要花费时间。因此，在外延层62的电位稳定到与衬底61相同的电位之间，1层金属63A与外延层62之间的寄生电容值逐渐地变化。

该电容变化影响到共振电路51的电容，在电源接通时发生了频率漂移。

因此，本发明是鉴于上述课题而进行的，其目的在于，通过经电阻将与VCO用共振电路(共振电路)连接的键合焊区下的外延层的电位固定为规定的电位，来加快外延层的电位变化，迅速地使寄生电容值稳定，因此，可改善电源接通时的漂移。

此外，其特征在于：经在不同的岛内形成的电阻将上述键合焊区下的岛的电位固定为规定的电位。

再者，其特征在于：固定上述键合焊区下的岛电位的上述规定的电位是Vcc电压或GND电压。

此外，其特征在于：在上述键合焊区上且在偏离进行引线键合的位置的位置上形成了与上述电阻连接的接触部。

图1是示出应用本发明的图像信号接收电路的键合焊区结构的剖面图。

图2是说明应用本发明的图像信号接收电路的键合焊区部中的寄生电容用的电路结构图。

图3是示出应用本发明的图像信号接收电路的键合焊区结构的平面图。

图4是示出现有的图像信号接收电路的电路结构图。

图5是示出现有的图像信号接收电路的键合焊区结构的剖面图。

图6是说明现有的图像信号接收电路的键合焊区部中的寄生电容用的电路结构图。

图7是示出现有的图像信号接收电路的键合焊区结构的平面图。

以下，一边参照附图，一边说明作为应用本发明的振荡电路的一实施例的图像信号接收电路。此外，由于该图像信号接收电路的基本电路结构与图4中示出的电路结构为同等的，故为了避免重复的说明而将其省略。

图1和图3是示出本发明的振荡电路中的键合焊区结构的剖面图和平面图。

在图1和图3中，1例如是P型的半导体衬底，2是在该衬底1内形成的岛(以下，称为N型的外延层2)，各外延层2被元件隔离区(ISO)3隔离。