[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体可控整流器，具有导电型互不相同的2个双极型晶体管，该2个双极型晶体管的一个晶体管的基极与另一个晶体管的集电极连接，上述一个晶体管的集电极与上述另一个晶体管的基极连接；以及

二极管，以反向并联的方式与上述一个晶体管的集电极和发射极连接。

2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

还具备2个电阻元件，

上述2个双极型晶体管的各自的基极和发射极通过上述2个电阻元件之。一进行了连接。

3.如权利要求2中所述的半导体装置，其特征在于：

在SOI衬底的SOI层中形成了上述2个双极型晶体管、上述2个电阻元件和上述二极管。

4.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述SOI层的主表面中有选择地形成了部分隔离层，在被上述部分隔离层和埋入绝缘膜夹住的上述SOI层的部分中形成了上述2个电阻元件。

5.如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

还具备在被上述部分隔离层和埋入绝缘膜夹住的上述SOI层的另外的部分中形成了的另外的2个电阻元件，

在上述一个晶体管的集电极与上述2个电阻元件的一个的连接部与上述另一个晶体管的基极之间和在上述另一个晶体管的集电极与上述2个电阻元件的另一个的连接部与上述一个晶体管的基极之间个别地插入了上述另外的2个电阻元件的一个和另一个。

6.如权利要求5中所述的半导体装置，其特征在于：

上述SOI层的上述另外的部分的杂质浓度比上述SOI层的上述部分的杂质浓度高，因此，将上述另外的2个电阻元件的电阻设定得比上述2个电阻元件的电阻低。

7.如权利要求1至6的任一项中所述的半导体装置，其特征在于：

上述2个双极型晶体管的每一个分别以MOSFET的源和漏的一方和另一方为发射极和集电极，以体为基极。

8.如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

上述2个MOSFET的各自的栅与源进行了连接。

9.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于：

上述2个MOSFET的每一个具有以跨过栅和源的表面的方式形成的、连接该栅与源的金属半导体化合物膜。

10.如权利要求9中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述2个MOSFET的每一个中，也以跨过上述体的表面的方式形成上述金属半导体化合物膜，由此来连接上述栅、上述源与上述体。

11.如权利要求1至4的任一项中所述的半导体装置，其特征在于：    

利用以pnpn的顺序互相连结了的半导体层等效地形成了上述2个双极型晶体管。

12.如权利要求1至6的任一项中所述的半导体装置，其特征在于：

上述二极管是BCG二极管，即将栅和体连接到源和漏一侧的MOSFET。

13.如权利要求12中所述的半导体装置，其特征在于：

上述BCG二极管具有以跨过上述一侧的表面和上述体的未被上述栅覆盖的部分的表面的方式形成的、连接该上述一侧与上述体的金属半导体化合物膜。

14.如权利要求13中所述的半导体装置，其特征在于：

上述BCG二极管具有的上述金属半导体化合物膜通过也以跨过上述BCG二极管的上述栅的表面的方式被形成，也与该栅进行了连接。